Member:Kuyama

京大推進研

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目次

久山 智弘 (Tomohiro Kuyama)

@DEN-EN 三条

研究概要

  • プラズマ誘起ダメージが絶縁膜の信頼性に与える影響の予測・評価
  • コンダクタンス法を用いたSi基板中のプラズマ誘起潜在欠陥の解析手法の開発
  • マイクロ波照射を用いた欠陥制御プロセスの開発（試行錯誤中）

経歴

岡山県立岡山朝日高等学校　出身

  • 2017年3月　京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース　卒業
  • 2019年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻　修士課程　修了
  • 2019年4月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻　博士後期課程　進学

趣味

投稿論文 / Journal article

  1. Junki Morozumi, Takahiro Goya, Tomohiro Kuyama, Koji Eriguchi, and Keiichiro Urabe: “In situ electrical monitoring of SiO2/Si structures in low-temperature plasma using impedance spectroscopy”, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SI1010 (2023). <doi:10.35848/1347-4065/acc7ae>
  2. Tomohiro Kuyama, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi, "Quantitative evaluation of plasma-damaged SiN/Si structures using bias-dependent admittance analysis," Journal of Applied Physics, Vol. 131, 133302 (2022).<doi:10.1063/5.0085042>
  3. Tomohiro Kuyama, Keiichiro Urabe, Masanaga Fukasawa, Tetsuya Tatsumi, and Koji Eriguchi, "Characterization of dynamic behaviors of defects in Si substrates created by H2 plasma using conductance method," Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 59, No. SJ, SJJC02 (2020). <doi:10.35848/1347-4065/ab8280>
  4. Tomohiro Kuyama, and Koji Eriguchi, "Optical and electrical characterization methods of plasma-induced damage in silicon nitride films," Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD03 (2018). <doi:10.7567/JJAP.57.06JD03>

著書・解説 / Books and Reviews

  1. 久山智弘 (D1)，占部継一郎，深沢正永，辰巳哲也， 江利口浩二:「水素プラズマ曝露によりSi基板中に形成される潜在欠陥のコンダクタンス法を用いた解析」, シリコンテクノロジー「プラズマプロセスにおけるナノ加工精度とダメージ制御」 No. 223, pp. 9-14, 2020. ISSN: 2423-8813.

受賞 / Award

  1. IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award, 2022年10月7日．https://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/eds/2022/2022_IEEE_EDS_Kansai_Chapter_Award.pdf
  2. IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Best Student Paper，2022年3月29日．https://www.irps.org/best-paper
  3. DPS2019 Young Researcher Award，2021年11月18日．http://www.dry-process.org/2021/awards.html
  4. 第50回（2021年春季）応用物理学会 講演奨励賞, 2021年9月21日. https://www.jsap.or.jp/young-scientist-presentation-award/recipients50
  5. 奨励賞　電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・評価の物理-（第25回研究会）, 2020年2月1日.
  6. 応用物理学会 関西支部 第6回関西奨励賞, 2018年3月7日. http://jsap-kansai.jp/index.php?wakateaward
  7. 応用物理学会 関西支部 平成29年度 第3回講演会ポスター賞（最優秀賞）, 2018年2月23日.

国際学会 / International conference

  1. Takahiro Goya, Tomohiro Kuyama(D3),Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "A nanoindentation-based statistical evaluation scheme for mechanical change in plasma-irradiated dielectric films" 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, On-line.
  2. Tomohiro Kuyama(D3), Shohei Yura, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Electrical characterization of exposure time dependence of plasma-induced radiation damage to SiO2 films: Early-stage degradation turnover in the progressive phase" 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, On-line.
  3. Tomohiro Kuyama(D2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Evaluation methodology for assessment of dielectric degradation and breakdown dynamics using time-dependent impedance spectroscopy (TDIS)," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), March 22-25, 2021, On-line.
  4. Ryosuke Kizaki, Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Investigation of the effects of surface states on Si damaged layer formation during plasma process”, 41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster plaza, Hiroshima, Japan.
  5. Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, Masanaga Fukasawa, Tetsuya Tatsumi, and Koji Eriguchi: “Characterization of dynamic behaviors of defects in Si substrates created by H2 plasma using conductance method”, 41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster plaza, Hiroshima, Japan.
  6. Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Characterization of dynamic behaviors of carrier traps in silicon nitride films created by Ar and He plasma exposures”, International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – : IWDTF2019, November 18-20, 2019, Multi-Purpose Digital Hall, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.
  7. Tomohiro Kuyama(M2), Yoshihiro Sato, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Effects of microwave annealing on the recovery of microscopic defects in silicon nitride films”, 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan.
  8. Tomohiro Kuyama(M1) and Koji Eriguchi: “Characterization technique of silicon nitride film damaged by plasma exposure”, 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.

国内学会 / Domestic conference

  1. 郷矢 崇浩， 久山智弘(D3)，占部継一郎，江利口浩二 「シリコン窒化膜に形成されるプラズマダメージの機械特性評価と電気特性評価との相関に関する検討」，第69回応用物理学会春季学術講演会，2022年3月22日～26日，ハイブリッド開催，25a-E104-2.
  2. 郷矢 崇浩， 久山智弘(D3)，占部継一郎，江利口浩二「シリコン窒化膜のプラズマ曝露による機械特性変化評価手法の提案」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，12a-N102-6．
  3. [招待講演] 久山智弘(D3)，占部継一郎，江利口浩二「[講演奨励賞受賞記念講演] プラズマ曝露により絶縁膜/Si界面近傍に形成される欠陥構造のアドミタンスモデル解析」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，12a-N102-5．
  4. 久山智弘(D3)，占部継一郎，江利口浩二「経時的インピーダンス分光解析を用いた逆バイアスストレス印加下の絶縁膜特性劣化過程の解析」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，10p-N323-12．
  5. 両角 潤樹，久山智弘(D3)，鬼頭 聖弥，占部継一郎，江利口浩二「インピーダンス分光法を用いたプラズマ曝露環境下のプローブ表面状態モニタリング」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，10a-S301-5．
  6. 久山智弘(D2)，占部継一郎，江利口浩二「絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析」，第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日～19日，オンライン開催，17a-Z03-1．
  7. 久山智弘(D2)，涌羅奨平(M)，占部継一郎，江利口浩二「プラズマ曝露時の表面状態がSi基板内のプラズマ誘起欠陥分布に与える影響の定量評価 」，第81回応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月8日～11日，オンライン開催，11p-Z03-4．
  8. 久山智弘(D1)，占部継一郎，江利口浩二「コンダクタンス法を用いたSi系絶縁膜に形成されたプラズマ誘起欠陥密度の定量評価」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18日～21日, 北海道大学札幌キャンパス, 19p-E305-2．
  9. 久山智弘(M2)，占部継一郎，江利口浩二「コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプラズマ誘起ダメージ構造の解析」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9日～12日, 東京工業大学大岡山キャンパス, 11p-W641-2．
  10. 久山智弘(M2)，吉川侑汰，佐藤好弘, 占部継一郎, 江利口浩二:「プラズマ曝露によりシリコン窒化膜中に形成された欠陥構造の窒素雰囲気アニールに関する検討」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 20p-438-13.
  11. 久山智弘(M1)，江利口浩二「光学的および電気的手法を用いたシリコン窒化膜中のプラズマ誘起欠陥の構造解析手法」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-23．
  12. 久山智弘(M1)，吉川侑汰，篠原健吾，江利口浩二「高エネルギーイオン照射による窒化シリコン薄膜中の欠陥形成とその診断に関する研究」，日本航空宇宙学会 第54回関西・中部支部合同秋期大会，2017年11月11日，京都大学桂キャンパス．

セミナー，研究会 / Seminars, Workshops

  1. [招待講演] 久山智弘(D1), 占部継一郎，深沢正永，辰巳哲也，江利口浩二:「水素プラズマ曝露によりSi基板中に形成される潜在欠陥のコンダクタンス法を用いた解析」,応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第223回研究集会「プラズマプロセスにおけるナノ加工精度とダメージ制御」, 2020年2月14日, 東京大学 本郷キャンパス, （シリコンテクノロジー「プラズマプロセスにおけるナノ加工精度とダメージ制御」 No. 223, pp. 9-14, 2020）．
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