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京大推進研

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目次

津田 博隆 / Hirotaka Tsuda

研究 / Research

プラズマ気相およびSi基板表面解析を通して、原子スケール微細加工に向けたプラズマ表面相互作用と加工形状制御に関する基礎研究を行なっています。さまざまな数値シミュレーション手法を用いて気相/固相におけるプラズマエッチングのモデリングを行い、独自の3次元形状進展モデル（原子スケールセルモデル） (3D-Atomic-Scale Cellular Model: ASCeM-3D) の開発を進めいています。

H. Tsuda, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08JE06.


学歴 / Education

  • 2008年3月　京都大学工学部物理工学科宇宙基礎工学コース　卒業
  • 2010年3月　京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻　修士課程修了
  • 2010年4月　京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻　博士課程進学

職歴 / Career

キーワード / Key words

  • Simulation, ASCeM (Atomic-Scale Cellular Model), Feature profile, Plasma-surface interaction, Plasma etching, Scanning Probe Microscope, Surface roughness, Atomic scale, Monte Carlo (MC) method, Molecular dynamics (MD), Visualization, C, C++.

お知らせ / What's New

  • 2013/02/03　IC-PLANTS 2013 にて招待講演を行いました
  • 2012/11/15　DPS 2011 Young Research Award を受賞しました
  • 2012/11/15　DPS 2012 にて口頭発表を行いました
  • 2012/10/30　AVS 2012 にて口頭発表を行いました
  • 2012/10/24　GEC 2012 にて口頭発表を行いました


第156回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会 にて

「Siエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用のモデリングと形状進展シミュレーション」に関する講演を行います

日時：2013年2月15日

場所：東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室

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  • 2013/02/11 更新

投稿論文 / Journal articles

第一著者 / First author

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence”, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 08HC01. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/51/08HC01/
  2. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Molecular Dynamics Analysis of the Formation of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-based Plasmas”, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08KB02. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08KB02/
  3. Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness”, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08JE06. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08JE06/
  4. Hirotaka Tsuda, Masahiko Mori, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-Scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 08JE01. http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/49/08JE01/
  5. Hirotaka Tsuda, Masahiko Mori, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residue", Thin Solid Films 518 (2010) 3475-3480. doi:10.1016/j.tsf.2009.11.043
  6. Hirotaka Tsuda, Koji Eriguchi, Kouichi Ono, and Hiroaki Ohta: "Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology", Appl. Phys. Express 2 (2009) 116501. http://apex.ipap.jp/link?APEX/2/116501/

受賞 / Award

  1. DPS 2011 Young Researcher Award, 2012年11月15日.
  2. 第32回（2012年春季）応用物理学会講演奨励賞, 2012年9月11日.
  3. 第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 最優秀ポスター賞, 2008年9月26日.
  4. 第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 優秀質問者賞, 2008年9月26日.

招待講演 / Invited talks

  1. 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Siエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用のモデリングと形状進展シミュレーション」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第156回研究集会「プラズマプロセスの最前線」, 2013年2月15日, 東京大学 本郷キャンパス 工学部9号館1階大会議室, (応用物理学会 シリコンテクノロジー No. 143 「プラズマプロセスの最前線」, 2013)
  2. Hirotaka Tsuda, Nobuya Nakazaki, Daisuke Fukushima, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas: Experimental investigations and a comparison with numerical simulations", The 6th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013), Feburary 2-3, 2013, Gero Synergy Center, Gero, Gifu, Japan, S-1. IC-PLANTS 2013 The 6th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2013, pp. S-01.
  3. 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性 II. -イオン斜め入射時のリップル形成メカニズム-」, 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日～14日, 愛媛大学 城北キャンパス, 13a-E3-7, (2012年春季 第32回 応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演)
  4. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Model Analysis of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence: Effects of Oxygen Addition", The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2012), March 9-10, 2012, Freude, Inuyama International Sightseeing Center, Aichi, Japan, S-2. IC-PLANTS 2012 The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2012, pp. S-02.
  5. 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一:「Siエッチング形状進展シミュレーションと表面反応解析」, ICAN Kyou Sou Seminar【第5回】ナノデバイスにおける微細加工技術についてのオープンセミナー, 2012年3月5日, 産業技術総合研究所 西-7A SCR.
  6. 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一: 「エッチング加工形状進展と表面ラフネスのモデリング･シミュレーション」, 第8回 プラズマ新領域研究会「プラズマプロセスと先端数値解析」, 2011年10月26日, 慶應義塾大学日吉キャンパス 来往舎.

国際学会 / International conferences

2013

  1. [Invited] Hirotaka Tsuda, Nobuya Nakazaki, Daisuke Fukushima, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas: Experimental investigations and a comparison with numerical simulations", The 6th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2013), Feburary 2-3, 2013, Gero Synergy Center, Gero, Gifu, Japan, S-1. IC-PLANTS 2013 The 6th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2013, pp. S-01.

2012

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Roughness during Plasma Etching of Si: Mechanism and Reduction", 34th International Symposium on Dry Process (DPS 2012), November 15-16, 2012, Takeda Hall, Takeda Sentanchi Building, The University of Tokyo, Tokyo, Japan, A-3, Proc. 34th Int. Symp. Dry Process, p. 7.
  2. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Formation Mechanisms of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching and Sputtering of Si under Oblique Ion Incidence", AVS 59th International Symposium & Exhibition, October 28-November 2, 2012, Tampa Convention Center, Florida, USA, PS2-TuA12
  3. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Formation Mechanisms of Surface Roughening and Rippling during Plasma Etching and Sputtering of Silicon", The 65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), October 22-26, 2012, the AT&T Conference Center on The University of Texas at Austin campus in Austin, Texas, USA, HW2-2, Bull. Am. Phys. Soc. 57(8) p. 45.
  4. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Rippling Mechanism of Nanoscale Surface during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence", The 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 25th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM), October 2-5, 2012, Kyoto University ROHM Plaza, Kyoto, Japan, 1-P60. Abstracts, p.176.
  5. [Invited] Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Model Analysis of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence: Effects of Oxygen Addition", The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2012), March 9-10, 2012, Freude, Inuyama International Sightseeing Center, Aichi, Japan, S-2. IC-PLANTS 2012 The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2012, pp. S-02.

2011

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence", 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011), November 10-11, 2011, Kyoto Garden Palace Hotel, Kyoto, Japan, B-2, Proc. 33rd Int. Symp. Dry Process, p. 15.
  2. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Three-Dimensional Modeling and Formation Mechanisms of Atomic-Scale Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas", AVS 58th International Symposium & Exhibition, October 30 - November 4, 2011, Nashville Convention Center, Nashville, TN, USA, PS-FrM9.
  3. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Surface Roughness Formation during Si Etching in Cl2 and Cl2/O2 Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution”, 4th International Conference on Plasma Nano-Technology & Science (IC-PLANTS 2011), March 10-12, 2011, Takayama Public Cultural Hall, Takayama, Gifu, Japan, Paper O-07, Proceedings, O-07.
  4. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Surface Roughness Formation during Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution”, 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces and Plasma Characterization (2WPNI), March 1-4, Hotel Raj, Cerklje, Slovenia, March 2011, Proceedings, pp.41-42.

2010

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas", 32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010), November 11-12, 2010, Tokyo Institute of Technology, Japan, H-2, Proc. 32nd Int. Symp. Dry Process, p. 179.
  2. Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "3-dimensional atomics-scale cellular model and feature profile evolution during Si etching in chlorine-based plasmas: Analysis of profile anomalies and surface roughness", 63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP), October 4-8, 2010, Maison de la Chimie, Paris, France, KWP.00063. Bull. Am. Phys. Soc. 55(7), 2010, p. 119.
  3. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution during Si etching in halogen-based plasmas: Monte Carlo and molecular dynamics approaches", The 10th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 23th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM), July 8, 2010, Lotte Hotel Jeju, Jeju, Korea, 2010-401 (PP442).
  4. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution by molecular dynamics approaches", The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), March 11-12, 2010, Meijyo University, Nagoya, Japan, P-22. IC-PLANTS 2010 The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2010, pp. P-22.
  5. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Profile simulation of silicon etching in halogen-based plasmas: Monte Carlo and molecular dynamics approaches", The 1st International Workshop on Plasma Nano-interfaces, January 10, 2010, Nagasaki University, Nagasaki, Japan, FS06.

2009

  1. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Koji Eriguchi, Kouichi Ono, and Hiroaki Ohta: "Fully Atomistic Profile Evolution Simulation of Nanometer-scale Si Trench Etching by Energetic F, Cl, and Br Beams", AVS 56th International Symposium & Exhibition (Plasma Science and Technology), November 8-13, 2009, San Jose Convention Center, San Jose, CA, USA, PS1-ThA8.
  2. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Plasma-surface interactions during Si etching in Cl- and Br-based plasmas: An empirical and atomistic study", 62nd Annual Gaseous Electronics Conference (2009 GEC), October 20-23, 2009, Saratoga Springs, NY, USA, SR3.00004. Bull. Am. Phys. Soc. 54(12), 2009, p. 70.
  3. Hirotaka Tsuda, Masahito Mori, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity", 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009), September 24-25, 2009, Busan Exhibition & Convention Center, Busan, Korea, 2-P19. Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 45-46.

2008

  1. Hirotaka Tsuda, Shoki Irie, Masahito Mori, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching in chlorine- and bromine-containing plasmas: Effects of surface oxidation on evolution of feature profiles", 61st Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), October 13-17, 2008, Marriott Dallas/Addison Quorum by the Galleria in Dallas, Texas, USA, DT1.00003 . Bull. Am. Phys. Soc. 53(10), 2008, p. 18.

国内学会 / Domestic conferences

2012

  1. [招待講演] 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性 II. -イオン斜め入射時のリップル形成メカニズム-」, 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日～14日, 愛媛大学 城北キャンパス, 13a-E3-7, (2012年春季 第32回 応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演)
  2. 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性 (Three-Dimensional Atomic-Scale Cellular Model and Mechanism of Surface Roughness: Effects of Oxygen Addition)」, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年3月15日～18日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 17p-A7-18.

2011

  1. 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「プラズマエッチング時における表面ラフネス形成メカニズムとイオン入射角度依存性」, プラズマ・核融合学会第28回年会/応用物理学会第29回プラズマプロセシング研究会/日本物理学会(領域2)2011年秋季大会 / Plasma Conference 2011 (PLASMA2011), 2011年11月22日～25日, 石川県立音楽堂, 23P007-O.
  2. 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明: イオンの入射エネルギー・角度依存性」, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日～9月2日, 山形大学小白川キャンパス, 30a-M-9.
  3. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale surface roughness depending on the ion incident angle during Si etching in chlorine-based plasmas", 第24回プラズマ材料科学シンポジウム, 2011年7月19日～20日, 大阪大学 銀杏会館, B4-4. The 24th Symposium on Plasma Science for Materials Abstracts of Papers, p. 62.
  4. 津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展: シミュレーション:ナノスケール表面ラフネス形成機構の解明」, 2011年3月24日～27日, 神奈川工科大学, (講演会中止)

2010

  1. 津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 表面ラフネスの構造解析」, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年9月14日～17日, 長崎大学文教キャンパス, 16a-ZA-5.
  2. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: 微視的不均一性に関する解析 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Analysis of Mechanisms for Microscopic Uniformity)」, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 2010年3月17日～20日, 東海大学湘南キャンパス, 18p-ZD-12.
  3. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 : 「原子スケールモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 形状異常の予測とその制御 (Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching in chlorine-containing plasmas: Control and prediction of profile anomalies)」, 第27回プラズマプロセシング研究会(SPP-27), 2010年2月1日～3日, 横浜市開港記念会館, A2-03. The 27th Symposium on Plasma Processing Proceedings, 2010, .

2009

  1. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 : 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 残渣の発現メカニズム」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月8日～11日, 富山大学, 9a-ZG-12.
  2. Hirotaka Tsuda, Masahito Mori, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residues", 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 2009年6月15日～16日, 東京大学 山上会館, P-5. The 22nd Symposium on Plasma Science for Materials Abstracts of Papers, p. 28.
  3. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: パターン底面部の表面あらさの定量化 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Quantification of Bottom Surface Roughness)」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月30日～4月2日, 筑波大学, 1p-ZW-15. 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第1分冊, p. 248.
  4. 津田博隆、入江祥己、森政士、太田裕朗、江利口浩二、斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション：形状進展における表面酸化の影響 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Effects of Surface Oxidation on Feature Profile Evolution)」, プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会, 2009年2月2日～4日, 名古屋大学 豊田講堂・シンポジオン, P3-03. Plasma Science Symposium 2009 and The 26th Symposium on Plasma Processing Proceedings, pp. 420-421.

2008

  1. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: Si微細パターン内での表面酸化と粒子挙動の解析」, 第2回プラズマエレクトロニクス インキュベーションホール, 2008年9月24日～26日, マキノパークホテル＆セミナーハウス.
  2. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション：微細パターン内での表面酸化と粒子挙動の解析」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月2日～5日, 中部大学, 3a-ZC-9.
  3. Hirotaka Tsuda, Shoki Irie, Masahito Mori, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: 「塩素系・臭素系プラズマによるSiエッチングにおける形状進展のモデル解析 (Model analysis of the profile evolution during Si etching in chlorine- and bromine-containing plasmas)」, 第25回プラズマプロセシング研究会 (SPP-25), 2008年1月23日～25日, 山口県教育会館・ゆ～あいプラザ山口県社会福祉会館, B4-02. Proceedings of the 25th Symposium on Plasma Processing (SPP-25), 2008, pp. 71-72.

セミナー, 研究会 / Seminars, Workshops

  1. [招待講演] 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一:「Siエッチング形状進展シミュレーションと表面反応解析」, ICAN Kyou Sou Seminar【第5回】ナノデバイスにおける微細加工技術についてのオープンセミナー, 2012年3月5日, 産業技術総合研究所 西-7A SCR.
  2. [招待講演] 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一: 「エッチング加工形状進展と表面ラフネスのモデリング･シミュレーション」, 第8回 プラズマ新領域研究会「プラズマプロセスと先端数値解析」, 2011年10月26日, 慶應義塾大学日吉キャンパス 来往舎.

学位論文題目

修士論文　(2009年度, 2010年3月)

"Atomic-Scale Analysis of Plasma-Surface Interactions and Feature Profile Evolution during Si Etching in Halogen-Based Plasmas by Monte Carlo and Molecular Dynamics Approaches"
(ハロゲン系プラズマを用いたSiエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用と加工形状進展：モンテカルロ法および分子動力法による原子スケールの数値解析)

学部卒業研究　(2007年度, 2008年3月)

「グローバルモデルによる塩素／酸素混合プラズマの解析とシリコンエッチング形状シミュレーション」

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