佐藤 好弘 (Yoshihiro Sato)

• 博士3年
• 社会人D

受賞 / Award

1. IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award, 2021年9月28日.
2. 第19回プラズマエレクトロニクス賞, 2021年3月.

投稿論文 / Journal article

1. Yoshihiro Sato, Satoshi Shibata, Keiichiro Urabe and Koji Eriguchi, "Evaluation of residual defects created by plasma exposure of Si substrates using vertical and lateral pn junctions," Journal of Vacuum Science & Technology B 38, 012205 (2020).<doi:10.1116/1.5126344>
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2. Yoshihiro Sato, Satoshi Shibata, Akira Uedono, Keiichiro Urabe and Koji Eriguchi, "Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate," Journal of Vacuum Science & Technology A 37, 011304 (2019). <doi:10.1116/1.5048027>

国際学会 / International conferences

1. Yoshihiro Sato, T. Yamada, K. Nishimura, M. Yamasaki, M. Murakami, K. Urabe, and K. Eriguchi: "Characterization Scheme for Plasma-Induced Defect due to Stochastic Lateral Straggling in Si Substrates for Ultra-Low Leakage Devices," IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 12-18, 9.4 On-line (2020)
2. Yoshihiro Sato, S. Shibata, R. Sakaida, and K. Eriguchi: "Characterization of Residual Defects in Plasma-exposed Si Substrates using Cathodoluminescence and Positron Annihilation Spectroscopy ", 17th International Workshop on Junction Technology 2017, pp. 73-76 (Kyoto, Japan, June 2nd, 2017).

招待講演 / Invited talks

International conferences

1. Y. Sato, T. Yamada, K. Nishimura, M. Yamasaki, M. Murakami, K. Urabe, and K. Eriguchi: "Evaluation of Plasma-Induced Stochastic Damage Creation in the Lateral Direction Using pn Junction Structures," The 20th International Workshop on Junction Technology (IWJT2021), S2-2 (On-line).
2. Y. Sato, S. Shibata, A. Uedono, K. Urabe, and K. Eriguch: “Characterization of residual defects created in Si substrates”, The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018, November 18-21, 2018, Okayama University 50th Anniversary Hall, Okayama, Japan.

=Domestic conferences

1. 佐藤 好弘，山田隆善，西村佳壽子，山崎雅之，村上雅史，占部 継一郎，江利口浩二:「Characterization Scheme for Plasma-Induced Defect Creation due to Stochastic Lateral Straggling in Si Substrates for Ultra-low Leakage Devices」,IEEE EDS 第 21 回関西コロキアム電子デバイスワークショップ，2021年9月28日，オンライン開催．[IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award受賞記念講演]
2. 佐藤 好弘 ，柴田 聡，占部 継一郎，江利口浩二:「pn 接合構造を用いたシリコン基板へのプラズマ誘起ダメージの評価」,第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，10p-S301-2．[プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演]
3. 佐藤 好弘，山田隆善，西村佳壽子，山崎雅之，村上雅史，占部 継一郎，江利口浩二：「プラズマプロセスにより形成される3次元欠陥分布が暗電流特性に及ぼす影響評価」，映像情報メディア学会　情報センシング研究会（IST），「固体撮像技術および一般」，2021年3月26日（金），オンライン開催.
4. 佐藤 好弘，山田隆善，西村佳壽子，山崎雅之，村上雅史，占部 継一郎，江利口浩二：「プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価」，電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会共催），「先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集）」，2021年1月28日（木），オンライン開催.
5. 佐藤 好弘：「プラズマと固体表面における欠陥生成機構の高感度解析」，応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会，第３４回プラズマ新領域研究会「プラズマプロセスにおける欠陥生成に関する新生面」，2020年10月21日(水)，オンライン開催.