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目次

ワイヤー状構造をもつ半導体の製造方法及び製造装置

発明者
太田裕朗,斧 高一
出願日
2009-6-23
国際公開日
2009-12-30
出願番号
特願2010-517754
公表番号
再公表09-157179
国際出願番号
JP2009002848
国際公開番号
WO09157179


半導体処理装置のクリーニング方法

発明者
井上實、羽坂智、大沢正典、斧高一、長利一心
出願日
2006-08-29
公開日
2008-03-13
出願番号
特願2006-232743
公開番号
特開2008-060171

プラズマ処理装置

発明者
斧高一、上坂裕之、石橋清隆、沢田郁夫
出願日
2005-06-20
公開日
2006-07-06
国際出願番号
PCT/JP2005/011273
国際公開番号
WO 2006/001253 A1

半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法

発明者
斧高一、北川智洋、井上實、大沢正典
出願日
2004-12-24
公開日
2006-07-06
登録日
2011-10-7
出願番号
特願2004-374107
公開番号
特開2006-179834
登録番号
特許 4836112号

導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置

発明者
上坂裕之,斧 高一
出願日
2002-7-10
公開日
2004-2-12
登録日
2008-7-11
出願番号
特願2002-201025
公開番号
特開2004 –47207
登録番号
特許 4152135号