Member:Nakazaki

京大推進研

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目次

中崎 暢也 / Nobuya Nakazaki

お知らせ / What's New

  • 2016/04/01　ソニー株式会社へ入社しました。
  • 2016/03/31　日本学術振興会 特別研究員DC2を中途辞退しました。
  • 2016/03/23　博士（工学）の学位を授与されました。
  • 2016/02/19　第189回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会にて発表を行いました。
  • 2016/01/22　博士学位論文公聴会を行いました。
  • 2015/12/18　論文が公開されました。J. Appl. Phys. 118, 233304 (2015).

2016/04/01 更新

キーワード / Key word

  • Plasma-surface interaction, Plasma etching, Surface roughness, Oblique ion incidence, Atomic scale cellular model, Molecular dynamics

研究内容 / Ｒesearch content

  • プラズマエッチングにおける表面ラフネス発現メカニズムの解明とその制御
  • プラズマエッチングにおけるイオン入射時の表面反応機構の動力学的解析

投稿論文 / Journal article

  1. Nobuya Nakazaki, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas", Jpn. J. Appl. Phys. 53, 056201 (9 pages), April 2014.
    <doi:10.7567/JJAP.53.056201>, <JJAP Spotrights>
  2. Hirotaka Tsuda, Nobuya Nakazaki, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface roughening and rippling during plasma etching of silicon: Numerical investigations and a comparison with experiments", J. Vac. Sci. Technol. B 32, 031212 (21pages), May 2014.
    <doi: 10.1116/1.4874309>  PDF KURENAI repository  
  3. Nobuya Nakazaki, Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products", J. Appl. Phys. 116, 223302 (20 pages), December 2014.
    <doi:10.1063/1.4903956>  PDF KURENAI repository  
  4. Nobuya Nakazaki, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals", J. Appl. Phys. 118, 233304 (18 pages), December 2015.
    <doi:10.1063/1.4937449> PDF KURENAI repository  
    Publisher's Note: J. Appl. Phys. 119, 059901 (2016). <doi:10.1063/1.4941034>
  5. Nobuya Nakazaki, Haruka Matsumoto, Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Surface smoothing during plasma etching of Si in Cl2", Appl. Phys. Lett. 109, 204101 (5 pages), November 2016.
    <doi:10.1063/1.4967474>

著書・解説 / Books and Reviews

  1. 中崎暢也:「研究紹介：分子動力学法を用いたハロゲン系プラズマによる Siエッチング表面反応解析」，プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.58 pp.21-22，2013年6月．<http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE58.pdf>
  2. 斧高一, 津田博隆, 中崎暢也, 鷹尾祥典, 江利口浩二:「プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構」, 表面科学 Vol.34 No.10, pp.528-534 2013年10月. <https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsssj/34/10/34_528/_article>
  3. 斧高一, 中崎暢也, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二:「プラズマエッチングにおけるナノスケール表面形状揺らぎ」, プラズマ・核融合学会誌 Vol.90 No.7, pp.398-404 2014年6月. <http://ci.nii.ac.jp/naid/110009839098>
  4. 中崎暢也, 初瀬巧, 松本悠, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一：「Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析」, シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 178, pp. 24-29, 2015. ISBN: 978-4-86348-473-3.
  5. 中崎暢也, 松本悠, 園部蒼馬, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一：「シースコントロールプレートを用いたプラズマエッチングにおけるイオン斜入射によるリップル形成」, シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 189, pp. 6-11, 2016. ISBN: 978-4-86348-536-5.

受賞 / Award

  1. 第33回（2012年秋季）応用物理学会 講演奨励賞, 2013年3月27日. http://www.jsap.or.jp/activities/award/lecture/dai33kai.html
  2. 応用物理学会 関西支部 平成25年度 第1回講演会ポスター賞（最優秀賞）, 2013年6月13日.
  3. 応用物理学会 関西支部 第2回関西奨励賞, 2014年2月28日. http://jsap-kansai.jp/index.php?wakateaward
  4. 第37回（2015年度）応用物理学会論文奨励賞, 2015年9月13日. https://www.jsap.or.jp/activities/award/paper/prizewinner37.html
  5. DPS2015 Young Researcher Award, 2016年11月21日. http://www.dry-process.org/2016/index.html

招待講演 / Invited talk

  1. 中崎暢也(M2), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたHBrプラズマによるSiエッチング表面反応解析」, 2013年春季 第60回 応用物理学会学術講演会, 2013年3月27日～30日, 神奈川工科大学, 27p-A3-9, (2012年春季 第33回 応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演).
  2. 中崎暢也(D2), 初瀬巧, 松本悠, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第178回研究集会「微細加工プロセスの最前線」, 2015年2月13日, 東京大学 本郷キャンパス 工学部9号館1階大会議室, (シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 178, pp. 24-29, 2015).
  3. 中崎暢也(D3), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas」, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日～16日, 名古屋国際会議場, 15a-2Q-7 (論文奨励賞受賞記念講演).
  4. 中崎暢也(D3), 松本悠, 園部蒼馬, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「シースコントロールプレートを用いたプラズマエッチングにおけるイオン斜入射によるリップル形成」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第189回研究集会「微細加工プロセスの最前線」, 2016年2月19日, 東京大学 本郷キャンパス 工学部9号館1階大会議室, (シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 189, pp. 6-11, 2016).

国際学会 / International conference

  1. Nobuya Nakazaki (M1), Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Ion Incident Energy and Angle Dependence of Si etching with Cl, Br, and HBr beams", 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011), November 10-11, 2011, Kyoto Garden Palace Hotel, Kyoto, Japan, P1-16, Proc. 33rd Int. Symp. Dry Process, p. 53.
  2. Nobuya Nakazaki (M1), Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Ion Incident Energy and Angle Dependences of Si etching with Cl, Br, and HBr beams", 64th Annual Gaseous Electronics Conference, November 15–18, 2011, Salt Palace Convention Center, Salt Lake City, Utah, USA, NR1-11, Bull. Am. Phys. Soc. 56(15) p. 64.
  3. Nobuya Nakazaki(M1), Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Si Etching with Cl beams: Ion Incident Angle and Neutral Radical Flux Dependence" , The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2012), March 9-10, 2012, Freude, Inuyama International Sightseeing Center, Aichi, Japan, S-2. IC-PLANTS 2012 The 5th International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2012, pp. P-36.
  4. Nobuya Nakazaki(M2), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Si Etching in Cl- and Br-based Plasmas", The 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 25th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM), October 2-5, 2012, Kyoto University ROHM Plaza, Kyoto, Japan, 2-P28. Abstracts, p.266.
  5. Nobuya Nakazaki(M2), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Physical and Chemical Behavior of Etch Products Desorbed during Si Etching in Cl- and Br-based Plasmas", The 65th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), October 22-26, 2012, the AT&T Conference Center on The University of Texas at Austin campus in Austin, Texas, USA, HW2-5, Bull. Am. Phys. Soc. 57(8) p. 46.
  6. Nobuya Nakazaki(M2), Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Si Etching with Cl and Br Beams: Ion Incident Angle and Neutral Radical Flux Dependence", AVS 59th International Symposium & Exhibition, October 28-November 2, 2012, Tampa Convention Center, Florida, USA, PS2-TuA10
  7. Nobuya Nakazaki(M2), Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Surface Structure and Etch Products in Si/Cl and Si/Br Systems", 34th International Symposium on Dry Process (DPS 2012), November 15-16, 2012, Takeda Hall, Takeda Sentanchi Building, The University of Tokyo, Tokyo, Japan, P-33, Proc. 34th Int. Symp. Dry Process, p. 91.
  8. Nobuya Nakazaki(D1), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular dynamics analysis of Si etching in HBr-based Plasmas: Effects of neutral radicals", 35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013), August 29-30, 2013, Ramada Plaza Jeju Hotel, Korea, P-74, Proc. 35th Int. Symp. Dry Process, p. 159.
  9. Nobuya Nakazaki(D1), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Surface Reaction Kinetics during Si Etching in Cl-based Plasmas: Effects of Etch By-Products Ion Incidence", The 66th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), September 30-October 4, 2013, the Westin Hotel, Princeton, New Jersey, LW1-6, Bull. Am. Phys. Soc. 58(8) p. 71.
  10. Nobuya Nakazaki(D1), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Si Etching in HBr-based Plasmas: Ion Incident Energy and Angle Dependence", AVS 60th International Symposium & Exhibition, October 27-November 1, 2013, the Long Beach Convention Center, California, USA, PS-ThM-1.
  11. Nobuya Nakazaki(D1), Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas", 8th International Conference on Reactive Plasmas, 31st Symposium on Plasma Processing, February 3-7, 2014 Fukuoka Convention Center, Fukuoka, Japan, 4B-PM-O2.
  12. Nobuya Nakazaki(D2), Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular dynamics analysis of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas: Effects of ion incident energy, angle, and neutral radical-to-ion flux ratio", The 67th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), November 02-07, 2014, Marriott City Center & Raleigh Convention Center, Raleigh, North Carolina, ET2-5, Bull. Am. Phys. Soc. 59(9) p. 26.
  13. Nobuya Nakazaki(D2), Haruka Matsumoto, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface Roughening Mechanisms and Roughness Suppression during Si Etching in Inductively Coupled Cl2 Plasmas", AVS 61st International Symposium & Exhibition, November 09-14, 2014, the Baltimore Convention Center, Baltimore, Maryland, PS1-WeM-12.
  14. Nobuya Nakazaki(D3), Haruka Matsumoto, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Surface rippling by oblique ion incidence during plasma etching of silicon: Experimental demonstration using sheath control plates", 68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing, October 12–16, 2015, Hawaii Convention Center, Honolulu, Hawaii, OR2-4, Bull. Am. Phys. Soc. 60(9) p. 118.
  15. Nobuya Nakazaki (D3), Haruka Matumoto, Soma Sonobe, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon", 37th International Symposium on Dry Process (DPS 2015), November 5-6, 2015, Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji Island, Japan, B-3, Proc. 37th Int. Symp. Dry Process, p. 13.

国内学会 / Domestic conference

  1. 中崎暢也(B4), 谷口健, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたSiエッチング表面反応解析：Cl,Br,HBrビームエッチングにおけるイオン入射角度依存性」, 2011年度春季 第58回 応用物理学関係連合講演会, 2011/03/24～27, 神奈川工科大学. (講演会中止)
  2. 中崎暢也(M1), 谷口健, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたSiエッチング表面反応解析：Cl,Br,HBrビームエッチングにおけるイオン入射角度依存性及び入射エネルギー依存性」, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日～9月2日, 山形大学小白川キャンパス, 30a-M-12.
  3. 中崎暢也(M1), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたSiエッチング表面反応解析: 中性ラジカル付加とイオンビーム入射角度依存性」, プラズマ・核融合学会第28回年会/応用物理学会第29回プラズマプロセシング研究会/日本物理学会(領域2)2011年秋季大会 / Plasma Conference 2011 (PLASMA2011), 2011年11月22日～25日, 石川県立音楽堂, 22B01.
  4. 中崎暢也(M1), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたSi/Clビームエッチング表面反応解析：イオン入射角度依存性と中性ラジカルフラックス依存性」第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年3月15日～18日, 早稲田大学, 17p-A7-15.
  5. 中崎暢也(M2), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法によるSi/Cl, Si/Brビームエッチング表面反応解析: イオン入射エネルギー･角度と中性ラジカルフラックス比依存性」, 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日～14日, 愛媛大学, 13a-E3-11.
  6. 中崎暢也(M2), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法によるSi/Cl，Si/Br プラズマエッチングの解析： 表面反応層内の原子分布と結合状態」, 第30回プラズマプロセシング研究会（SPP-30）, 2013年1月21日～23日, アクトシティ浜松・研修交流センター, B1-02.
  7. [招待講演] 中崎暢也(M2), 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いたHBrプラズマによるSiエッチング表面反応解析」, 2013年春季 第60回 応用物理学会学術講演会, 2013年3月27日～30日, 神奈川工科大学, 27p-A3-9, (2012年春季 第33回 応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演).
  8. 中崎暢也(D1), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「プラズマエッチングにおけるナノスケール表面ラフネスとリップル構造」, 応用物理学会関西支部 平成25年度第1回講演会, 2013年6月13日, 京都大学桂キャンパス, P-14.
  9. 中崎暢也(D1), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法を用いた塩素系プラズマによるSiエッチング表面反応解析：エッチング副生成物イオン入射の効果」, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年9月16日～20日, 同志社大学京田辺キャンパス, 18a-C2-7.
  10. 中崎暢也(D1), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Molecular dynamics simulation of etch by-product ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas」, 第26回プラズマ材料科学シンポジウム(SPSM26), 2013年9月23日～24日, 九州大学医学部 百年講堂, 24a-A-2.
  11. 中崎暢也(D1), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「分子動力学法による塩素系プラズマSiエッチングの表面反応解析：エッチング副生成物イオンの斜め入射」, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年3月17日～20日, 青山学院大学相模原キャンパス, 19a-F6-2.
  12. 中崎暢也(D1), 松本悠, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「誘導結合Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析」, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年3月17日～20日, 青山学院大学相模原キャンパス, 19a-F6-4.
  13. 中崎暢也(D2), 松本悠, 江利口浩二, 斧高一:「誘導結合Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析：パルスバイアスエッチングの効果」, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年9月17日～20日, 北海道大学札幌キャンパス, 19p-S10-6.
  14. 中崎暢也(D2), 園部蒼馬, 初瀬巧, 松本悠, 江利口浩二, 斧高一:「シースコントロールプレートを用いた基板表面へのイオン斜入射とリップル形成」, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年3月11日～14日, 東海大学湘南キャンパス, 14p-A27-7.
  15. [招待講演] 中崎暢也(D3), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas」, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日～16日, 名古屋国際会議場, 15a-2Q-7 (論文奨励賞受賞記念講演).

セミナー・研究会 / Seminar and Workshop

  1. [招待講演] 中崎暢也(D2), 初瀬巧, 松本悠, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第178回研究集会「微細加工プロセスの最前線」, 2015年2月13日, 東京大学 本郷キャンパス 工学部9号館1階大会議室, （シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 178, pp. 24-29, 2015）.
  2. [招待講演] 中崎暢也(D3), 松本悠, 園部蒼馬, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「シースコントロールプレートを用いたプラズマエッチングにおけるイオン斜入射によるリップル形成」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第189回研究集会「微細加工プロセスの最前線」, 2016年2月19日, 東京大学 本郷キャンパス 工学部9号館1階大会議室, (シリコンテクノロジー「微細加工プロセスの最前線」 No. 189, pp. 6-11, 2016).

学位論文題目 / thesis

  • 学部卒業研究　(2010年度, 2011年3月)
「分子動力学法を用いた Si エッチング表面反応解析：Cl, Br, HBr ビームエッチングにおけるイオン入射角度依存性及び入射エネルギー依存性」
  • 修士論文　(2012年度, 2013年3月)
"Molecular Dynamics Analysis of Surface Reaction Kinetics during Si Etching in Cl- and Br-based Plasmas: Dependence on Incident Ion Energy, Angle, and Neutral Radical-to-Ion Flux Ratio"
(分子動力学法によるSiの塩素系・臭素系プラズマエッチング表面反応解析：イオン入射エネルギー・角度と中性ラジカルフラックス比依存性)
  • 博士学位論文　(2015年度, 2016年1月)
"A Study of Plasma-Induced Surface Roughness and Ripple Formation during Silicon Etching in Inductively Coupled Chlorine Plasmas"
(誘導結合塩素プラズマを用いたシリコンエッチングにおけるプラズマ誘起表面ラフネスとリップル形成に関する研究) PDF KURENAI repository  

学歴 / Education

  • 2007年3月　私立洛星高等学校 卒業
  • 2007年4月　京都大学 工学部 物理工学科 入学
  • 2011年3月　京都大学 工学部 物理工学科 （宇宙基礎工学コース） 卒業
  • 2011年4月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程 入学
  • 2013年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程 修了
  • 2013年4月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 博士後期課程 進学
  • 2016年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 博士後期課程 修了

職歴 / Career

  • 2015年4月　日本学術振興会 特別研究員DC2
  • 2016年4月　ソニー株式会社

リンク / Link

研究室ブログ（Propulblog）やってます。


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