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京大推進研

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{{右註釈|[[Image:Camera small.png|16px|写真]] [http://www.flickr.com/photos/adulau/379303639/ Alexandre Dulaunoy]}}
 
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==国際公開==
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==半導体処理装置のクリーニング方法==
  
===プラズマ処理装置===
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: 井上實、羽坂智、大沢正典、斧高一、長利一心
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: 2006-08-29
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: 特許出願2006-232743
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==プラズマ処理装置==
  
 
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: WO 2006/001253 A1
 
: WO 2006/001253 A1
  
==公開==
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==半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法==
 
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===半導体処理装置のクリーニング方法===
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: 井上實、羽坂智、大沢正典、斧高一、長利一心
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===半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法===
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2012年4月3日 (火) 14:24時点における版

Clipboard.png公開済み特許一覧

半導体処理装置のクリーニング方法

発明者
井上實、羽坂智、大沢正典、斧高一、長利一心
出願日
2006-08-29
公開日
2008-03-13
出願番号
特許出願2006-232743
公開番号
特許公開2008-060171

プラズマ処理装置

発明者
斧高一、上坂裕之、石橋清隆、沢田郁夫
出願日
2005-06-20
公開日
2006-07-06
国際出願番号
PCT/JP2005/011273
国際公開番号
WO 2006/001253 A1

半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法

発明者
斧高一、北川智洋、井上實、大沢正典
出願日
2004-12-24
公開日
2006-07-06
出願番号
特許出願2004-374107
公開番号
特許公開2006-179834