Publications/Patents
京大推進研
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==半導体処理装置のクリーニング方法== | ==半導体処理装置のクリーニング方法== | ||
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: 2008-03-13 | : 2008-03-13 | ||
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==プラズマ処理装置== | ==プラズマ処理装置== | ||
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: 2006-07-06 | : 2006-07-06 | ||
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| + | : 2011-10-7 | ||
; 出願番号 | ; 出願番号 | ||
| − | : | + | : 特願2004-374107 |
; 公開番号 | ; 公開番号 | ||
| − | : | + | : 特開2006-179834 |
| + | ; 登録番号 | ||
| + | : 特許 4836112号 | ||
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| + | ==導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置== | ||
| + | ;発明者 | ||
| + | :上坂裕之，斧 高一 | ||
| + | ;出願日 | ||
| + | :2002-7-10 | ||
| + | ;公開日 | ||
| + | :2004-2-12 | ||
| + | ;登録日 | ||
| + | :2008-7-11 | ||
| + | ;出願番号 | ||
| + | :特願2002-201025 | ||
| + | ;公開番号 | ||
| + | :特開2004 –47207 | ||
| + | ;登録番号 | ||
| + | :特許 4152135号 | ||
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2014年5月5日 (月) 21:31時点における最新版
公開済み特許一覧
目次 |
ワイヤー状構造をもつ半導体の製造方法及び製造装置
- 発明者
- 太田裕朗，斧 高一
- 出願日
- 2009-6-23
- 国際公開日
- 2009-12-30
- 出願番号
- 特願2010-517754
- 公表番号
- 再公表09-157179
- 国際出願番号
- JP2009002848
- 国際公開番号
- WO09157179
半導体処理装置のクリーニング方法
- 発明者
- 井上實、羽坂智、大沢正典、斧高一、長利一心
- 出願日
- 2006-08-29
- 公開日
- 2008-03-13
- 出願番号
- 特願2006-232743
- 公開番号
- 特開2008-060171
プラズマ処理装置
- 発明者
- 斧高一、上坂裕之、石橋清隆、沢田郁夫
- 出願日
- 2005-06-20
- 公開日
- 2006-07-06
- 国際出願番号
- PCT/JP2005/011273
- 国際公開番号
- WO 2006/001253 A1
半導体処理装置のクリーニング方法およびシリコン基板のエッチング方法
- 発明者
- 斧高一、北川智洋、井上實、大沢正典
- 出願日
- 2004-12-24
- 公開日
- 2006-07-06
- 登録日
- 2011-10-7
- 出願番号
- 特願2004-374107
- 公開番号
- 特開2006-179834
- 登録番号
- 特許 4836112号
導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置
- 発明者
- 上坂裕之，斧 高一
- 出願日
- 2002-7-10
- 公開日
- 2004-2-12
- 登録日
- 2008-7-11
- 出願番号
- 特願2002-201025
- 公開番号
- 特開2004 –47207
- 登録番号
- 特許 4152135号