2012年7月11日 (水) 20:53時点における版

Patrick Gage (CC BY-NC-SA)

表彰

DPS 2010 Young Researcher Award

松田朝彦

• 32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010)
• 2011年11月
• Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy", DPS 2010, November 11-12, 2010, Tokyo Institute of Technology, Japan.

第33回（2011年度）応用物理学会優秀論文賞

江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧 高一

• 応用物理学会　（受賞者紹介）
• 2011年8月
• Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056203.

第9回（2011年度）プラズマエレクトロニクス賞

仲村恵右、濱田大輔、上田義法、江利口浩二、斧高一

「高誘電率絶縁膜 (High-k 膜) のエッチングに関して (...) 無バイアス条件で高いエッチング速度、選択性、加工精度を実現できることを初めて実証し、その機構を明らかにした。(...) 学術的価値および産業的有用性において、類似の研究の追随を許さない仕事であり、極めて高く評価できる。」

（「第９回プラズマエレクトロニクス賞の報告」プラズマエレクトロニクス分科会会報No.54 p.10）

• 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
• 2011年3月
• Keisuke Nakamura, Daisuke Hamada, Yoshinori Ueda, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Selective Etching of High-k Dielectric HfO₂ Films over Si in BCl₃-Containing Plasmas without rf Biasing", Appl. Phys. Express 2 (2009) 016503.

受賞記念講演等

• 仲村恵右「プラズマエレクトロニクス賞を受賞して」プラズマエレクトロニクス分科会会報No.54 p.11
• プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演：斧高一「高誘電率（High-k）材料のドライエッチング」2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月30日

DPS 2009 Best Paper Award

江利口浩二、中久保義則、松田朝彦、亀井政幸、鷹尾祥典、斧高一

「プラズマと固体表面相互作用によって発生する半導体デバイスの特性劣化機構を解明した業績に対して」

• 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009)
• 2010年11月
• K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono: "Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs", DPS 2009, September 24-25, 2009, Busan, Korea.