Member:Sasakura

京大推進研

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*シリコン基板表面における改質層形成過程のイオンビーム照射角依存性評価
  
 
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2025年2月19日 (水) 16:37時点における版

笹倉　大河 /Sasakura Taiga

目次

  • 学部4年


研究概要 / Study

  • シリコン基板表面における改質層形成過程のイオンビーム照射角依存性評価

学歴 / Education

  • 2021年4月 京都大学 工学部 物理工学科　入学

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