Member:Sato

京大推進研

2012年4月3日 (火) 21:26時点におけるMatsuda (トーク | 投稿記録)による版
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【テーマ】BCl3混合プラズマによる高誘電率材料薄膜エッチングの研究

【目的】実験を通してプラズマエッチングのメカニズムを解明し、半導体部品の加工技術を向上させ、電子機器の性能に還元すること

【背景】半導体部品はパソコンや携帯電話など様々な電子機器に組み込まれている。その半導体部品の中にはMOSFETという数十nmオーダーの部品が数億個存在する。MOSFETの絶縁膜としては高誘電率材料薄膜が採用されており、MOSFETの性能向上のためには高誘電率材料の微細加工が必要となっている。

【研究内容】高誘電率材料を加工するための手法としてプラズマエッチングを用いる。プラズマとは、気体に対してエネルギーを加え、気体分子がイオンと電子に分かれた(電離)状態のことをいう。プラズマエッチングとはプラズマを照射して物質を削る手法であり、イオンを使って削るので、微細加工に適している。本研究ではプラズマの放電実験を行い、実験条件と加工結果の関係を探っている。

【実績】2010.2 プラズマプロセシング研究会(SPP-27)