解説・著書

2015

• 斧 高一: "プラズマ・固体表面界面反応制御～表面ラフネスとリップルの形成機構と制御～", 応用物理,　Vol. 84, No. 10 (2015), pp. 895-902.

2014

• 斧 高一, 中崎暢也, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二：プラズマエッチングにおけるナノスケール表面形状揺らぎ, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 90, No. 7 (2014), pp. 398-404.

2013

• 江利口浩二："先端プロセスとプラズマ誘起ダメージ"（特集「プラズマプロセスの新しい応用」，化学工業社）ケミカルエンジニヤリング，2013，vol.58，No.12，pp. 54-60．
• 斧 高一, 津田 博隆, 中崎 暢也, 鷹尾 祥典, 江利口 浩二: プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構, 表面科学, Vol. 34, No. 10 (2013), pp. 528-534.
• 斧 高一：巻頭言 「年頭所感：プラズマ科学とプラズマ応用」, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 89, No. 1 (2013), pp. 1-2.

2012

• K. Eriguchi:"Molecular Dynamics – Studies of Synthetic and Biological Macromolecules", pp. 221-224, "Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors" (Lichang Wang (Ed.)), ISBN 978-953-51-0444-5, (InTech, 2012).
• 斧 高一：High-k 膜のドライエッチング 「ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術－成膜技術と膜・界面の物性科学－」, (エヌ・ティー・エス社, 2012) 第5編, 第4章, pp. 295-308.

2010

• Koji Eriguchi, Masayuki Kamei, Kenji Okada, Hiroaki Ohta, and Kouichi Ono: Chapter 7 "Threshold Voltage Shift Instability Induced by Plasma Charging Damage in MOSFETs with High-k Dielectric", in Emerging Technologies and Circuits. Edited by A. Amara et al. Lecture Notes in Electrical Engineering 66. (Springer, 2010) Part IV, pp. 97-106. ISBN 978-90-481-9378-3.
• Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: Chapter 8 "Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies", in Emerging Technologies and Circuits. Edited by A. Amara et al. Lecture Notes in Electrical Engineering 66 (Springer, 2010) Part IV, pp. 107-120. ISBN 978-90-481-9378-3.
• 畠山力三、節原裕一、大岩徳久、関根誠、豊田浩孝、中石雅文、中村敏浩、中川秀夫、永津雅章、中村圭二、檜森慎司、小田昭紀、林信哉、明石治朗、菅原広剛、吉村智、平田孝道、一木隆範、野崎智洋、佐野紀彰、木下啓蔵、白井肇、古閑一憲、土澤泰、神谷利夫、白藤立、辰巳哲也、米倉和賢、森川康宏、根岸伸幸、高橋和生、秋元健司、江利口浩二、太田貴之、奥村智洋、上坂裕之、佐藤孝紀、布村正太、長谷川明広、柳生義人、白谷正治、金子俊郎、大竹浩人: プラズマ・プロセス技術, 応用物理, Vol. 79, No. 8 (2010) pp. 717-719. http://ci.nii.ac.jp/naid/10026494758/
• 斧 高一: 先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化, 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465. http://www.kako-sha.co.jp/

2009

• 斧 高一： プラズマエッチングにおける表面反応機構, 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158. ISBN 978-4-7813-0167-9
• 斧 高一, 江利口浩二： 高誘電体／電極材料エッチング技術, 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s062.html
• 斧 高一、高橋和生、江利口浩二： 高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
• 斧 高一、江利口浩二： ドライエッチングのモデルとその実験検証 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
• 斧 高一： High-k膜のドライエッチング・クリーニング技術, 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.

2007

• 斧 高一, 鷹尾祥典: マイクロプラズマスラスター, 応用物理, Vol. 76, No. 4 (2007) pp. 394-398. http://www.jsap.or.jp/ap/
• 斧 高一, 江利口浩二: 高誘電体／電極材料エッチング技術 「2007 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2007) 第4編, 第4章, 第4節, pp. 296-301. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s032.html
• 柴田俊格、宮 博信、国井泰夫、斧 高一、井上 實: HfO₂系 High-k 材料向け in-situ チャンバークリーニング技術の開発 大陽日酸技報, No. 26 (2007) pp. 7-11. http://www.tn-sanso-giho.com/report26.html

2006

• 斧 高一:マイクロプラズマスラスタ －MEMSへの応用例－ 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.

2005

• 斧 高一、福田武司: 宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画, 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
• 北川智洋、斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實:　高誘電体材料ドライエッチングガス, 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.

2004

• 斧 高一: 高誘電体／電極材料エッチング技術, 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
• 斧 高一: エッチング, 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958～968.
• 斧 高一: 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
• 高橋和生、斧 高一、節原裕一: 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO₂薄膜のエッチング, 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.

2002

• 高橋和生、三田村崇司、斧 高一、節原裕一: プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造Low-K薄膜の作成, 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73. http://wwwsoc.nii.ac.jp/sfj/mokuji53-12.htm

2000

• 斧 高一: エッチング反応機構 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
• 斧 高一: Siドライエッチング技術, 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.

1999

• 斧 高一: プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
• 斧 高一: ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用, 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
• 斧 高一: エッチング反応機構, 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.