濱野 誉 (Takashi Hamano)

• 学部4年
• メール：hamano.takashi.35c(at)st.kyoto-u.ac.jp
• 所属学会：応用物理学会 (JSAP)

研究概要 / Research

• シリコン単結晶基板内部に生じるプラズマ誘起ダメージの進展メカニズムの解析
• 窒化ホウ素薄膜の成膜技術の確立

をテーマとして研究を行っています。

学歴 / Education

• 2014年3月　甲陽学院高等学校 卒業
• 2014年4月　京都大学 工学部 物理工学科 入学

国際学会 / International conference

1. Takashi Hamano (B4) and Koji Eriguchi: "A comprehensive analysis of progressive behavior of plasma-induced damage formation in Si substrates", 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front (Kuramae Kaikan), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan. Proc. 39th International Symposium on Dry Process (DPS), 215-216 (2017).

学位論文題目 / Thesis

学部卒業研究　(2017年度, 2018年3月)

「プラズマ曝露下におけるシリコン基板表面構造の入射イオン量依存性に関する研究」

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