Member:Kuyama

京大推進研

2020年2月2日 (日) 17:44時点におけるKuyama (トーク | 投稿記録)による版
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目次

久山 智弘 (Tomohiro Kuyama)

@DEN-EN 三条

研究概要

  • プラズマ誘起ダメージが絶縁膜の信頼性に与える影響の予測・評価
  • コンダクタンス法を用いたSi基板中のプラズマ誘起潜在欠陥の解析手法の開発
  • マイクロ波照射を用いた欠陥制御プロセスの開発（試行錯誤中）

学歴

岡山県立岡山朝日高等学校　出身

  • 2017年3月　京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース　卒業
  • 2019年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻　修士課程　修了
  • 2019年4月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻　博士後期課程　進学

趣味

投稿論文 / Journal article

  1. Tomohiro Kuyama(M1) and Koji Eriguchi, "Optical and electrical characterization methods of plasma-induced damage in silicon nitride films", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD03, (2018), <doi:10.7567/JJAP.57.06JD03>

受賞 / Award

  1. 奨励賞　電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・評価の物理-（第25回研究会）, 2020年2月1日.
  2. 応用物理学会 関西支部 第6回関西奨励賞, 2018年3月7日. http://jsap-kansai.jp/index.php?wakateaward
  3. 応用物理学会 関西支部 平成29年度 第3回講演会ポスター賞（最優秀賞）, 2018年2月23日.

国際学会 / International conference

  1. Ryosuke Kizaki, Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Investigation of the effects of surface states on Si damaged layer formation during plasma process”, 41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster plaza, Hiroshima, Japan.
  2. Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, Masanaga Fukasawa, Tetsuya Tatsumi, and Koji Eriguchi: “Characterization of dynamic behaviors of defects in Si substrates created by H2 plasma using conductance method”, 41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster plaza, Hiroshima, Japan.
  3. Tomohiro Kuyama(D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Characterization of dynamic behaviors of carrier traps in silicon nitride films created by Ar and He plasma exposures”, International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – : IWDTF2019, November 18-20, 2019, Multi-Purpose Digital Hall, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.
  4. Tomohiro Kuyama(M2), Yoshihiro Sato, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Effects of microwave annealing on the recovery of microscopic defects in silicon nitride films”, 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan.
  5. Tomohiro Kuyama(M1) and Koji Eriguchi: “Characterization tequnique of silicon nitride film damaged by plasma exposure”, 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.

国内学会 / Domestic conference

  1. 久山智弘(D1)，占部継一郎，江利口浩二「コンダクタンス法を用いたSi系絶縁膜に形成されたプラズマ誘起欠陥密度の定量評価」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18日～21日, 北海道大学札幌キャンパス, 19p-E305-2．
  2. 久山智弘(M2)，占部継一郎，江利口浩二「コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプラズマ誘起ダメージ構造の解析」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年3月9日～12日, 東京工業大学大岡山キャンパス, 11p-W641-2．
  3. 久山智弘(M2)，吉川侑汰，佐藤好弘, 占部継一郎, 江利口浩二:「プラズマ曝露によりシリコン窒化膜中に形成された欠陥構造の窒素雰囲気アニールに関する検討」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 20p-438-13.
  4. 久山智弘(M1)，江利口浩二「光学的および電気的手法を用いたシリコン窒化膜中のプラズマ誘起欠陥の構造解析手法」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-23．
  5. 久山智弘(M1)，吉川侑汰，篠原健吾，江利口浩二「高エネルギーイオン照射による窒化シリコン薄膜中の欠陥形成とその診断に関する研究」，日本航空宇宙学会 第54回関西・中部支部合同秋期大会，2017年11月11日，京都大学桂キャンパス．
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