Member:Matsuda

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プラズマによる半導体材料のエッチングの際に、固体表面に生じるプラズマダメージの測定・解析手法について研究しています。 プラズマに曝露したSiウエハ表面のダメージ層を、光の反射を使って測定する手法の高精度化・高感度化に取り組んでいます。実験・測定を主体とし、数値シミュレーション（古典的分子動力学法）を併用しております。
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プラズマによる半導体材料のエッチングの際に、固体表面に生じるプラズマダメージの測定・解析手法について研究しています。 プラズマに曝露したSiウエハ表面のダメージ層を、光の反射を使って測定する手法の高精度化・高感度化に取り組んでいます。実験・測定を主体とし、数値シミュレーション（古典的分子動力学法）を併用しています。
  
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*学年：博士後期課程1年
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*学年：博士後期課程2年
 
*メール：asahiko{{@}}phys.mbox.media.kyoto-u.ac.jp  
 
*メール：asahiko{{@}}phys.mbox.media.kyoto-u.ac.jp  
 
*所属学会：応用物理学会
 
*所属学会：応用物理学会
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*研究室内役職：HP委員。このサイトの管理を担当しています。
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*研究室内役職：HP係、安全係
  
 
=== 略歴 ===
 
=== 略歴 ===
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*2004年3月　福井県立藤島高等学校　卒業
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*2004年4月～2008年3月　京都大学 工学部 物理工学科（宇宙基礎工学コース）
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*2008年3月　京都大学 工学部 物理工学科（宇宙基礎工学コース）卒業
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*2008年4月～2010年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程
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*2010年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程 修了
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*2010年4月～　同　博士後期課程
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*2010年4月　同　博士後期課程　進学
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*2011年4月～　(独)日本学術振興会特別研究員DC
  
 
=== 趣味 ===
 
=== 趣味 ===

2011年6月2日 (木) 15:57時点における版

松田朝彦 (Asahiko Matsuda)

目次

プラズマによる半導体材料のエッチングの際に、固体表面に生じるプラズマダメージの測定・解析手法について研究しています。 プラズマに曝露したSiウエハ表面のダメージ層を、光の反射を使って測定する手法の高精度化・高感度化に取り組んでいます。実験・測定を主体とし、数値シミュレーション（古典的分子動力学法）を併用しています。

  • 学年：博士後期課程2年
  • メール：asahikoCinnamonroll.pngphys.mbox.media.kyoto-u.ac.jp
  • 所属学会：応用物理学会
  • 研究室内役職：HP係、安全係

略歴

  • 2004年4月～2008年3月　京都大学 工学部 物理工学科（宇宙基礎工学コース）
  • 2008年4月～2010年3月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程
  • 2010年4月～　同　博士後期課程
  • 2011年4月～　(独)日本学術振興会特別研究員DC

趣味

  • 水泳
  • ピアノ
  • Wikipedia

Publications/Presentations 刊行物・学会発表

Journal papers 学術論文

  1. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis", Thin Solid Films 518 (2010) 3481-3486. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.11.044
  2. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 08JC02. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/49/08JC02/
  3. Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masanaga Fukasawa, Yoshinori Takao, Tetsuya Tatsumi, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 08JD02. http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/49/08JD02/
  4. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056203. http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/49/056203/
  5. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled MOSFETs", IEEE Electron Dev. Lett. 31(12) (2009) 1275-1277. http://hdl.handle.net/2433/89515
  6. Koji Eriguchi, Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Masayuki Kamei, Hiroaki Ohta and Kouichi Ono: "Effects of Plasma-Induced Si Recess Structure on n-MOSFET Performance Degradation", IEEE Electron Dev. Lett. 30(7) (2009) 712-714. http://dx.doi.org/10.1109/LED.2009.2022347

Book chapter 著書

  1. Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Chapter 8: Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies", in Emerging Technologies and Circuits, eds. Amara Amara, Thomas Ea, and Marc Belleville. Lecture Notes in Electrical Engineering 66 (Springer, London, 2010) Part IV, pp. 107-120. ISBN 978-90-481-9378-3. doi:10.1007/978-90-481-9379-0_8

International conference presentations 国際学会発表

  1. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy", DPS 2010: 32nd International Symposium on Dry Process, November 12, 2010, Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, J-4. pp. 191-192.
  2. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Trade-Off Relationship between Si Recess and Defect Density Formed by Plasma-Induced Damage in Planar MOSFETs and the Optimization Strategies", DPS 2010: 32nd International Symposium on Dry Process, November 12, 2010, Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, J-1. pp. 185-186.
  3. Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites", November 12, 2010, Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, P2-J2. pp. 173-174.
  4. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Masayuki Kamei, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Assessment of Ion-Bombardment Damage in Plasma-Exposed Si by Interface Layer Thickness and Charge-Trapping Defects", 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), October 7-9, 2009, Sendai Kokusai Hotel, Miyagi, Japan, P-1-28. Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2009, pp. 346-347.
  5. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Riki Ogino, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Simulation and Experimental Study on the Characteristics of Plasma-Induced Damage and Methodology for Accurate Damage Analysis", International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2009), May 18-20, 2009, Freescale Semiconductor, Austin, TX, USA, Session E. Proceedings 2009 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2009, pp. 97-100.
  6. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Ueda, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Significance of Interface Layer between Surface Layer and Si Substrate in Plasma-Exposed Structures and Its Impacts on Plasma-Induced Damage Analysis", 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008), September 23-26, 2008, Tsukuba International Congress Center (Epochal Tsukuba), Ibaraki, Japan, P-1-13. Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2008, pp. 358-359.
  7. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs", 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), October 7-9, 2009, Sendai Kokusai Hotel, Miyagi, Japan, P-1-24. Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2009, pp. 338-339.
  8. Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masanaga Fukasawa, Yoshinori Takao, Tetsuya Tatsumi, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Optical and Electrical Characterization of H2 Plasma-Damaged Si Surface Structures and its Impact on In-line Monitoring", 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009), September 24-25, 2009, Busan Exhibition & Convention Center, Busan, Korea, 3-3. Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 125-126.
  9. Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs", 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009), September 24-25, 2009, Busan Exhibition & Convention Center, Busan, Korea, 9-4. Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 267-268.
  10. Koji Eriguchi, Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Masayuki Kamei, Hiroaki Ohta, and Kouichi Ono: "Study of Plasma-Induced "Si Recess Structure" and Its Effects on Threshold Voltage Variability in Advanced MOSFETs", International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2009), May 18-20, 2009, Freescale Semiconductor, Austin, TX, USA, Session E. Proceedings 2009 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2009, pp. 101-104.
  11. K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, H. Ohta, H. Nakagawa, S. Hayashi, S. Noda, K. Ishikawa, M. Yoshimaru, and K. Ono: "A New Framework for Performance Prediction of Advanced MOSFETs with Plasma-Induced Recess Structure and Latent Defect Site", IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2008, December 15-17, 2008, San Francisco, CA, USA. 2008 IEDM Technical Digest, 2008, pp. 1-4.
  12. Y. Nakakubo, A. Matsuda, Y. Ueda, H. Ohta, K. Eriguchi, and K. Ono: "Clarification of Surface and Interface Structures exposed to Inductively Coupled Plasma with Various Superposed Bias Frequencies and Its Implication in Plasma Damage Control", AVS 55th International Symposium & Exhibition, October 19-24, 2008, Boston, MA, USA, PS1-WeM4 .
  13. Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, H. Ohta, K. Eriguchi and K. Ono: "Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies", International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2008), June 2-4, 2008, Minatec in Grenoble, France, session C2. Proceedings of 2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2008, pp. 101-104.

Domestic conference presentations 国内学会発表

  1. 江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧高一: 「プラズマプロセスにおけるSi基板ダメージ層形成モデルの提案」,第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年9月16日, 長崎大学, 16a-ZA-8.
  2. 松田朝彦，中久保義則，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「分子動力学法によるプラズマ誘起ダメージ予測：イオンエネルギー分布の影響 (Projecting Plasma-Induced Damage by Molecular Dynamics Simulation: Effects of Ion Energy Distribution)」, 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年9月16日, 長崎大学, 16a-ZA-9.
  3. 深沢正永，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一，南正樹，上澤史且，辰巳哲也: 「Hを含むプラズマによるSi基板ダメージの構造解析（II）」, 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年9月16日, 長崎大学, 16a-ZA-10.
  4. 松田朝彦，中久保義則，深沢正永，鷹尾祥典，辰巳哲也，江利口浩二，斧 高一: 「H2を含むプラズマによるSi基板ダメージの光学的・電気的構造 (Optical and Electrical Structure of Si Substrates Damaged by H2-Containing Plasma)」, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月9日, 富山大学, 9a-ZG-13.
  5. Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Effects of O2 addition on Si substrate surface damage exposed to Ar plasma", 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 2009年6月15日, 東京大学山上会館, P-6.
  6. Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis", 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 2009年6月15日, 東京大学山上会館, P-7.
  7. 中久保義則，松田朝彦，荻野力，上田義法，江利口浩二，斧高一: 「O2添加ArプラズマによるSi基板表面層内誘起欠陥の電気的解析」, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月30日-4月2日, 筑波大学 筑波キャンパス, 1p-ZW-11.
  8. 松田朝彦，荻野力，中久保義則，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「Si表面のプラズマダメージの精確な解析における界面層の重要性 (On the Importance of Interface Layer in Accurate Analysis of Plasma-Induced Damage on Si Surfaces)」, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月30日-4月2日, 筑波大学 筑波キャンパス, 1p-ZW-12.
  9. 松田朝彦，荻野力，中久保義則，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「Si表面におけるプラズマダメージ層増大の分光エリプソメトリーと 分子動力学シミュレーションによる解析 (Detailed Analysis of Plasma-Damaged Layer and Its Significance in Si Surface Structures by Spectroscopic Ellipsometry and Molecular Dynamics Simulations)」, プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会 (PSS-2009/SPP-26), 2009年2月2日-4日, 名古屋大学 豊田講堂・シンポジオン, P3-02. Plasma Sci. Symp. 2009 and 26th Symp. Plasma Processing Proc., p. 424.

学位論文題目

修士論文
"Optical Modeling of Si Surface and Interface Structures Damaged by Inductively Coupled Plasma"
(誘導結合型プラズマによるSi表面・界面ダメージ層の光学モデリング)
学部卒業研究
「分光エリプソメトリーによるプラズマ暴露シリコン表面の診断に関する研究」

本サイト内の記事

Links

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