Member:Tsuda

京大推進研

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2011年10月25日 (火) 19:14時点における版

目次

津田 博隆 / Hirotaka Tsuda

  • 原子スケール微細加工に向けたプラズマ表面相互作用と加工形状制御に関する研究
  • モンテカルロ法および分子動力学法を用いたプラズマエッチングのモデリングと、Siエッチング形状進展シミュレーター (ASCeM-3D) の開発 
Fig3 tsuda.png
H. Tsuda, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08JE06.


学歴 / Education

  • 2008年3月　京都大学工学部物理工学科宇宙基礎工学コース卒業
  • 2010年3月　京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻修士課程修了
  • 2010年4月～　同　博士後期課程


職歴 / Career

  • 2011年4月～　日本学術振興会 (JSPS) 特別研究員 DC2


キーワード / Key words

  • Simulation, Feature profile, Plasma-surface interaction, Plasma etching, Surface roughness, Atomic scale, Monte Carlo (MC) method, Molecular dynamics (MD), Visualization, C, C++.


お知らせ / What's New

  • 2011/07/20　第24回 プラズマ材料科学シンポジウム (大阪大学 銀杏会館) にて口頭発表を行いました
  • 2011/08/27　下記2報の論文が Free access 中です (http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08KB02/, http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08JE06/)
  • 2011/08/30　第72回 応用物理学会学術講演会 (山形大学 小白川キャンパス) にて口頭発表を行いました
  • 2011/09/06　下記2報の論文が Jpn. J. Appl. Phys. 誌に掲載されました
  • 2011/10/18　第８回 プラズマ新領域研究会「プラズマプロセスと先端数値解析」にて発表を行います 
        第８回 プラズマ新領域研究会「プラズマプロセスと先端数値解析」                          
          主催： 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
          日時： 平成23年10月26日（水） 13:00 ～ 17:30
          場所： 慶應義塾大学日吉キャンパス　来往舎 中会議室
          HP   :  http://www.mkbe.elec.keio.ac.jp/PE_kenkyuukai/index.html
  • 2011/10/18 更新

投稿論文 / Journal articles

第一著者 / First author

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Molecular Dynamics Analysis of the Formation of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-based Plasmas”, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08KB02. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08KB02/
  2. Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness”, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011), 08JE06. http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/50/08JE06/
  3. Hirotaka Tsuda, Masahiko Mori, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-Scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 08JE01. http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/49/08JE01/
  4. Hirotaka Tsuda, Masahiko Mori, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residue", Thin Solid Films 518 (2010) 3475-3480. doi:10.1016/j.tsf.2009.11.043
  5. Hirotaka Tsuda, Koji Eriguchi, Kouichi Ono, and Hiroaki Ohta: "Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology", Appl. Phys. Express 2 (2009) 116501. http://apex.ipap.jp/link?APEX/2/116501/

国際学会 / International conferences

2011

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Surface Roughness Formation during Si Etching in Cl2 and Cl2/O2 Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution”, 4th International Conference on Plasma Nano-Technology & Science (IC-PLANTS 2011), March 10-12, 2011, Takayama Public Cultural Hall, Takayama, Gifu, Japan, Paper O-07, Proceedings, O-07.
  2. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: “Surface Roughness Formation during Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Atomic-scale Analysis of Three-dimensional Feature Profile Evolution”, 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces and Plasma Characterization (2WPNI), March 1-4, Hotel Raj, Cerklje, Slovenia, March 2011, Proceedings, pp.41-42.

2010

  1. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular Dynamics Analysis of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-Based Plasmas", 32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010), November 11-12, 2010, Tokyo Institute of Technology, Japan, H-2, Proc. 32nd Int. Symp. Dry Process, p. 179.
  2. Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "3-dimensional atomics-scale cellular model and feature profile evolution during Si etching in chlorine-based plasmas: Analysis of profile anomalies and surface roughness", 63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP), October 4-8, 2010, Maison de la Chimie, Paris, France, KWP.00063. Bull. Am. Phys. Soc. 55(7), 2010, p. 119.
  3. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution during Si etching in halogen-based plasmas: Monte Carlo and molecular dynamics approaches", The 10th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 23th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM), July 8, 2010, Lotte Hotel Jeju, Jeju, Korea, 2010-401 (PP442).
  4. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale analysis of plasma-surface interactions and feature profile evolution by molecular dynamics approaches", The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), March 11-12, 2010, Meijyo University, Nagoya, Japan, P-22. IC-PLANTS 2010 The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2010, pp. P-22.
  5. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Profile simulation of silicon etching in halogen-based plasmas: Monte Carlo and molecular dynamics approaches", The 1st International Workshop on Plasma Nano-interfaces, January 10, 2010, Nagasaki University, Nagasaki, Japan, FS06.

2009

  1. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Koji Eriguchi, Kouichi Ono, and Hiroaki Ohta: "Fully Atomistic Profile Evolution Simulation of Nanometer-scale Si Trench Etching by Energetic F, Cl, and Br Beams", AVS 56th International Symposium & Exhibition (Plasma Science and Technology), November 8-13, 2009, San Jose Convention Center, San Jose, CA, USA, PS1-ThA8.
  2. Hirotaka Tsuda, Tatsuya Nagaoka, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Plasma-surface interactions during Si etching in Cl- and Br-based plasmas: An empirical and atomistic study", 62nd Annual Gaseous Electronics Conference (2009 GEC), October 20-23, 2009, Saratoga Springs, NY, USA, SR3.00004. Bull. Am. Phys. Soc. 54(12), 2009, p. 70.
  3. Hirotaka Tsuda, Masahito Mori, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity", 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009), September 24-25, 2009, Busan Exhibition & Convention Center, Busan, Korea, 2-P19. Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 45-46.

2008

  1. Hirotaka Tsuda, Shoki Irie, Masahito Mori, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching in chlorine- and bromine-containing plasmas: Effects of surface oxidation on evolution of feature profiles", 61st Annual Gaseous Electronics Conference (GEC), October 13-17, 2008, Marriott Dallas/Addison Quorum by the Galleria in Dallas, Texas, USA, DT1.00003 . Bull. Am. Phys. Soc. 53(10), 2008, p. 18.

国内学会 / Domestic conferences

2011

  1. 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明: イオンの入射エネルギー・角度依存性」2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, 2011年8月29～9月2日, 山形大学小白川キャンパス, 8.4プラズマエッチング, 30a-M-9.
  2. Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale surface roughness depending on the ion incident angle during Si etching in chlorine-based plasmas", 第24回プラズマ材料科学シンポジウム, 2011年7月19日～20日, 大阪大学 銀杏会館, B4-4. The 24th Symposium on Plasma Science for Materials Abstracts of Papers, p. 62.
  3. 津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展: シミュレーション:ナノスケール表面ラフネス形成機構の解明」, 2011年3月24～27日, 神奈川工科大学, (講演会中止)

2010

  1. 津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「3次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 表面ラフネスの構造解析」2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, 2010年9月14～17日, 長崎大学文教キャンパス, 8.4プラズマエッチング, 16a-ZA-5.
  2. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: 微視的不均一性に関する解析 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching in Chlorine-based Plasmas: Analysis of Mechanisms for Microscopic Uniformity)」, 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会, 2010年3月17日～20日, 東海大学湘南キャンパス, 18p-ZD-12.
  3. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 : 「原子スケールモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 形状異常の予測とその制御 (Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching in chlorine-containing plasmas: Control and prediction of profile anomalies)」, 第27回プラズマプロセシング研究会(SPP-27), 2010年2月1日～3日, 横浜市開港記念会館, A2-03. The 27th Symposium on Plasma Processing Proceedings, 2010, .

2009

  1. 津田博隆，森政士，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 : 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション: 残渣の発現メカニズム」, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月8日～11日, 富山大学, 9a-ZG-12.
  2. Hirotaka Tsuda, Masahito Mori, Koji Eriguchi and Kouichi Ono: "Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching: Formation of surface roughness and residues", 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 2009年6月15日～16日, 東京大学 山上会館, P-5. The 22nd Symposium on Plasma Science for Materials Abstracts of Papers, p. 28.
  3. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: パターン底面部の表面あらさの定量化 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Quantification of Bottom Surface Roughness)」, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月30日～4月2日, 筑波大学, 1p-ZW-15. 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第1分冊, p. 248.
  4. 津田博隆、入江祥己、森政士、太田裕朗、江利口浩二、斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション：形状進展における表面酸化の影響 (Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching: Effects of Surface Oxidation on Feature Profile Evolution)」, プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会, 2009年2月2日～4日, 名古屋大学 豊田講堂・シンポジオン, P3-03. Plasma Science Symposium 2009 and The 26th Symposium on Plasma Processing Proceedings, pp. 420-421.

2008

  1. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: Si微細パターン内での表面酸化と粒子挙動の解析」, 第2回プラズマエレクトロニクス インキュベーションホール, 2008年9月24日～26日, マキノパークホテル＆セミナーハウス.
  2. 津田博隆，森政士，太田裕朗，江利口浩二，斧高一: 「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション：微細パターン内での表面酸化と粒子挙動の解析」, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月2日～5日, 中部大学, 3a-ZC-9.
  3. Hirotaka Tsuda, Shoki Irie, Masahito Mori, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: 「塩素系・臭素系プラズマによるSiエッチングにおける形状進展のモデル解析 (Model analysis of the profile evolution during Si etching in chlorine- and bromine-containing plasmas)」, 第25回プラズマプロセシング研究会 (SPP-25), 2008年1月23日～25日, 山口県教育会館・ゆ～あいプラザ山口県社会福祉会館, B4-02. Proceedings of the 25th Symposium on Plasma Processing (SPP-25), 2008, pp. 71-72.

Links

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