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*[[Koji Eriguchi]], [[Masayuki Kamei]], Kenji Okada, [[Hiroaki Ohta]], and [[Kouichi Ono]]: Chapter 7 [[doi:10.1007/978-90-481-9379-0_7|'''"Threshold Voltage Shift Instability Induced by Plasma Charging Damage in MOSFETs with High-k Dielectric"''']], in ''Emerging Technologies and Circuits''. Edited by A. Amara ''et al.'' Lecture Notes in Electrical Engineering 66. (Springer, 2010) Part IV, pp. 97-106. ISBN 978-90-481-9378-3.
 
*[[Koji Eriguchi]], [[Masayuki Kamei]], Kenji Okada, [[Hiroaki Ohta]], and [[Kouichi Ono]]: Chapter 7 [[doi:10.1007/978-90-481-9379-0_7|'''"Threshold Voltage Shift Instability Induced by Plasma Charging Damage in MOSFETs with High-k Dielectric"''']], in ''Emerging Technologies and Circuits''. Edited by A. Amara ''et al.'' Lecture Notes in Electrical Engineering 66. (Springer, 2010) Part IV, pp. 97-106. ISBN 978-90-481-9378-3.
 
*[[Yoshinori Nakakubo]], [[Asahiko Matsuda]], [[Masayuki Kamei]], [[Hiroaki Ohta]], [[Koji Eriguchi]], and [[Kouichi Ono]]: Chapter 8 [[doi:10.1007/978-90-481-9379-0_8|'''"Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies"''']], in ''Emerging Technologies and Circuits''. Edited by A. Amara ''et al.'' Lecture Notes in Electrical Engineering 66 (Springer, 2010) Part IV, pp. 107-120. ISBN 978-90-481-9378-3.  
 
*[[Yoshinori Nakakubo]], [[Asahiko Matsuda]], [[Masayuki Kamei]], [[Hiroaki Ohta]], [[Koji Eriguchi]], and [[Kouichi Ono]]: Chapter 8 [[doi:10.1007/978-90-481-9379-0_8|'''"Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies"''']], in ''Emerging Technologies and Circuits''. Edited by A. Amara ''et al.'' Lecture Notes in Electrical Engineering 66 (Springer, 2010) Part IV, pp. 107-120. ISBN 978-90-481-9378-3.  
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*畠山力三、節原裕一、大岩徳久、関根誠、豊田浩孝、中石雅文、中村敏浩、中川秀夫、永津雅章、中村圭二、檜森慎司、小田昭紀、林信哉、明石治朗、菅原広剛、吉村智、平田孝道、一木隆範、野崎智洋、佐野紀彰、木下啓蔵、白井肇、古閑一憲、土澤泰、神谷利夫、白藤立、辰巳哲也、米倉和賢、森川康宏、根岸伸幸、[[Members/Former faculties|高橋和生]]、秋元健司、[[Member:Eriguchi|江利口浩二]]、太田貴之、奥村智洋、[[Members/Alumni|上坂裕之]]、佐藤孝紀、布村正太、長谷川明広、柳生義人、白谷正治、金子俊郎、大竹浩人: '''プラズマ・プロセス技術''', 応用物理, Vol. 79, No. 8 (2010) pp. 717-719. http://ci.nii.ac.jp/naid/10026494758/
 
*[[斧 高一]]: '''先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化''', 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465. http://www.kako-sha.co.jp/
 
*[[斧 高一]]: '''先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化''', 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465. http://www.kako-sha.co.jp/
  
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*[[斧 高一]]： '''プラズマエッチングにおける表面反応機構''', 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158. ISBN 978-4-7813-0167-9
 
*[[斧 高一]]： '''プラズマエッチングにおける表面反応機構''', 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158. ISBN 978-4-7813-0167-9
 
*[[斧 高一]], [[江利口浩二]]： '''高誘電体／電極材料エッチング技術''', 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s062.html
 
*[[斧 高一]], [[江利口浩二]]： '''高誘電体／電極材料エッチング技術''', 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s062.html
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*[[斧 高一]]、[[Former faculties|高橋和生]]、[[江利口浩二]]： '''高誘電率 (High-''k'') 材料のドライエッチング''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
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*[[斧 高一]]、[[Members/Former faculties|高橋和生]]、[[江利口浩二]]： '''高誘電率 (High-''k'') 材料のドライエッチング''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
 
*[[斧 高一]]、[[江利口浩二]]： '''ドライエッチングのモデルとその実験検証''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
 
*[[斧 高一]]、[[江利口浩二]]： '''ドライエッチングのモデルとその実験検証''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
 
*[[斧 高一]]： '''High-''k''膜のドライエッチング・クリーニング技術''', 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.
 
*[[斧 高一]]： '''High-''k''膜のドライエッチング・クリーニング技術''', 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.
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* [[斧 高一]]、福田武司: '''宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画''', 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
 
* [[斧 高一]]、福田武司: '''宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画''', 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
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* [[Alumni|北川智洋]]、[[斧 高一]]、大沢正典、羽坂 智、井上 實:　'''高誘電体材料ドライエッチングガス''', 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.
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* [[Members/Alumni|北川智洋]]、[[斧 高一]]、大沢正典、羽坂 智、井上 實:　'''高誘電体材料ドライエッチングガス''', 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.
  
 
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*[[斧 高一]]: '''エッチング''', 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958～968.
 
*[[斧 高一]]: '''エッチング''', 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958～968.
 
* [[斧 高一]]: '''半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD''', プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
 
* [[斧 高一]]: '''半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD''', プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
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* [[Former faculties|高橋和生]]、[[斧 高一]]、[[Former faculties|節原裕一]]: '''誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO<sub>2</sub>薄膜のエッチング''', 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.
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* [[Members/Former faculties|高橋和生]]、[[斧 高一]]、[[Members/Former faculties|節原裕一]]: '''誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO<sub>2</sub>薄膜のエッチング''', 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.
  
 
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* [[Former faculties|高橋和生]]、[[Alumni|三田村崇司]]、[[斧 高一]]、[[Former faculties|節原裕一]]: '''プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造Low-K薄膜の作成''', 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73. http://wwwsoc.nii.ac.jp/sfj/mokuji53-12.htm
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* [[Members/Former faculties|高橋和生]]、[[Members/Alumni|三田村崇司]]、[[斧 高一]]、[[Members/Former faculties|節原裕一]]: '''プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造Low-K薄膜の作成''', 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73. http://wwwsoc.nii.ac.jp/sfj/mokuji53-12.htm
  
 
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2012年7月11日 (水) 16:12時点における版

Book.png解説・著書

目次

2010

2009

  • 斧 高一： プラズマエッチングにおける表面反応機構, 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158. ISBN 978-4-7813-0167-9
  • 斧 高一, 江利口浩二： 高誘電体／電極材料エッチング技術, 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s062.html
  • 斧 高一、高橋和生、江利口浩二： 高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
  • 斧 高一、江利口浩二： ドライエッチングのモデルとその実験検証 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
  • 斧 高一： High-k膜のドライエッチング・クリーニング技術, 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.

2007

2006

  • 斧 高一:マイクロプラズマスラスタ －MEMSへの応用例－ 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.

2005

  • 斧 高一、福田武司: 宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画, 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
  • 北川智洋、斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實:　高誘電体材料ドライエッチングガス, 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.

2004

  • 斧 高一: 高誘電体／電極材料エッチング技術, 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
  • 斧 高一: エッチング, 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958～968.
  • 斧 高一: 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
  • 高橋和生、斧 高一、節原裕一: 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO2薄膜のエッチング, 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.

2002

2000

  • 斧 高一: エッチング反応機構 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
  • 斧 高一: Siドライエッチング技術, 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.

1999

  • 斧 高一: プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
  • 斧 高一: ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用, 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
  • 斧 高一: エッチング反応機構, 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.
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