2010年7月15日 (木) 08:56時点における版

解説・著書

2010

• 斧 高一: 「先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化」, 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465.

2009

• 斧 高一： 『プラズマエッチングにおける表面反応機構』, 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158.
• 斧 高一, 江利口浩二： 『高誘電体／電極材料エッチング技術』, 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305.
• 斧 高一、高橋和生、江利口浩二： 『高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング』 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192.
• 斧 高一、江利口浩二： 『ドライエッチングのモデルとその実験検証』 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176.
• 斧 高一： 『High-k膜のドライエッチング・クリーニング技術』, 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.

2007

マイクロプラズマスラスター

斧 高一, 鷹尾祥典: 応用物理, Vol. 76, No. 4 (2007) pp. 394-398

高誘電体／電極材料エッチング技術

斧 高一, 江利口浩二: 「2007 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2007) 第4編, 第4章, 第4節, pp. 296-301.

HfO₂系 High-k 材料向け in-situ チャンバークリーニング技術の開発

柴田俊格、宮 博信、国井泰夫、斧 高一、井上 實: 大陽日酸技報, No. 26 (2007) pp. 7-11

2006

マイクロプラズマスラスタ －MEMSへの応用例－

斧 高一: 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.

2005

宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画,

斧 高一、福田武司: 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.

高誘電体材料ドライエッチングガス

北川智洋、斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實: 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.

2004

高誘電体／電極材料エッチング技術

斧 高一: 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.

エッチング

斧 高一: 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958～968.

半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD

斧 高一: プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.

誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO₂薄膜のエッチング

高橋和生、斧 高一、節原裕一: 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.

2002

プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造Low-k薄膜の作成

高橋和生、三田村崇司、斧 高一、節原裕一: 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73.

2000

エッチング反応機構

斧 高一: 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.

Siドライエッチング技術

斧 高一: 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.

1999

プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング

斧 高一: プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.

ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用

斧 高一: 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.

エッチング反応機構

斧 高一: 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.