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==2010==
 
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*斧 高一: '''「先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化」''', 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465.  
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*[[斧 高一]]: '''先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化''', 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465.  
  
 
==2009==
 
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*斧 高一: '''『プラズマエッチングにおける表面反応機構』''', 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158.
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*[[高一]]: '''プラズマエッチングにおける表面反応機構''', 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158.
*斧 高一, 江利口浩二: '''『高誘電体/電極材料エッチング技術』''', 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305.
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*[[斧 高一]], [[江利口浩二]]: '''高誘電体/電極材料エッチング技術''', 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305.
*斧 高一、高橋和生、江利口浩二: '''『高誘電率 (High-''k'') 材料のドライエッチング』''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192.  
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*[[高一]]、[[Former faculties|高橋和生]]、[[江利口浩二]]: '''高誘電率 (High-''k'') 材料のドライエッチング''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192.  
*斧 高一、江利口浩二: '''『ドライエッチングのモデルとその実験検証』''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176.  
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*[[高一]]、[[江利口浩二]]: '''ドライエッチングのモデルとその実験検証''' (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176.  
*斧 高一: '''『High-''k''膜のドライエッチング・クリーニング技術』''', 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.
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*[[高一]]: '''High-''k''膜のドライエッチング・クリーニング技術''', 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.
  
 
==2007==
 
==2007==
  
; マイクロプラズマスラスター
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* [[斧 高一]], [[鷹尾祥典]]: '''マイクロプラズマスラスター''', 応用物理, Vol. 76, No. 4 (2007) pp. 394-398
: 斧 高一, 鷹尾祥典: 応用物理, Vol. 76, No. 4 (2007) pp. 394-398
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* [[斧 高一]], [[江利口浩二]]: '''高誘電体/電極材料エッチング技術''' 「2007 半導体テクノロジー大全」, 月刊 ''Electronic Journal'' 別冊 (電子ジャーナル社, 2007) 第4編, 第4章, 第4節, pp. 296-301.
; 高誘電体/電極材料エッチング技術
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* 柴田俊格、宮 博信、国井泰夫、[[斧 高一]]、井上 實: '''HfO<sub>2</sub>系 High-''k'' 材料向け ''in-situ'' チャンバークリーニング技術の開発''' 大陽日酸技報, No. 26 (2007) pp. 7-11
: 斧 高一, 江利口浩二: 「2007 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2007) 第4編, 第4章, 第4節, pp. 296-301.
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; HfO<sub>2</sub>系 High-''k'' 材料向け ''in-situ'' チャンバークリーニング技術の開発
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: 柴田俊格、宮 博信、国井泰夫、斧 高一、井上 實: 大陽日酸技報, No. 26 (2007) pp. 7-11
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==2006==
 
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; マイクロプラズマスラスタ -MEMSへの応用例-
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* [[斧 高一]]:'''マイクロプラズマスラスタ -MEMSへの応用例-''' 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.
: 斧 高一: 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.
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==2005==
 
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; 宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画,
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* [[斧 高一]]、福田武司: '''宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画''', 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
: 斧 高一、福田武司: 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
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* [[Alumni|北川智洋]]、[[斧 高一]]、大沢正典、羽坂 智、井上 實: '''高誘電体材料ドライエッチングガス''', 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.
; 高誘電体材料ドライエッチングガス
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: 北川智洋、斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實: 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.
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==2004==
 
==2004==
  
; 高誘電体/電極材料エッチング技術
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*[[斧 高一]]: '''高誘電体/電極材料エッチング技術''', 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 ''Electronic Journal'' 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
: 斧 高一: 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
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*[[斧 高一]]: '''エッチング''', 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958~968.
; エッチング
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* [[斧 高一]]: '''半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD''', プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
: 斧 高一: 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958~968.
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* [[Former faculties|高橋和生]]、[[斧 高一]]、[[Former faculties|節原裕一]]: '''誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO<sub>2</sub>薄膜のエッチング''', 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.
; 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD
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: 斧 高一: プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
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; 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO<sub>2</sub>薄膜のエッチング
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: 高橋和生、斧 高一、節原裕一: 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.
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==2002==
 
==2002==
  
; プラズマCVDと溶媒処理を用いたフルオロカーボン系多孔質構造Low-''k''薄膜の作成
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* [[Former faculties|高橋和生]]、[[Alumni|三田村崇司]]、[[斧 高一]]、[[Former faculties|節原裕一]]: 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73.
: 高橋和生、三田村崇司、斧 高一、節原裕一: 表面技術, Vol. 53, No. 12 (2002) pp. 71-73.
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==2000==
 
==2000==
  
; エッチング反応機構
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* [[斧 高一]]: '''エッチング反応機構''' 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
: 斧 高一: 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
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* [[斧 高一]]: '''Siドライエッチング技術''', 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.
; Siドライエッチング技術
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: 斧 高一: 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.
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==1999==
 
==1999==
  
; プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング
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* [[斧 高一]]: '''プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング''', プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
: 斧 高一: プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
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* [[斧 高一]]: '''ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用''', 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
; ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用
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* [[斧 高一]]: '''エッチング反応機構''', 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.
: 斧 高一: 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
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; エッチング反応機構
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: 斧 高一: 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.
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2010年7月15日 (木) 09:17時点における版

解説・著書

目次

2010

  • 斧 高一: 先端プラズマエッチングプロセスのモデリングと体系化, 化学工業, Vol. 61, No. 6 (2010), pp. 457-465.

2009

  • 斧 高一プラズマエッチングにおける表面反応機構, 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158.
  • 斧 高一, 江利口浩二高誘電体/電極材料エッチング技術, 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305.
  • 斧 高一高橋和生江利口浩二高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192.
  • 斧 高一江利口浩二ドライエッチングのモデルとその実験検証 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176.
  • 斧 高一High-k膜のドライエッチング・クリーニング技術, 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.

2007

  • 斧 高一, 鷹尾祥典: マイクロプラズマスラスター, 応用物理, Vol. 76, No. 4 (2007) pp. 394-398
  • 斧 高一, 江利口浩二: 高誘電体/電極材料エッチング技術 「2007 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2007) 第4編, 第4章, 第4節, pp. 296-301.
  • 柴田俊格、宮 博信、国井泰夫、斧 高一、井上 實: HfO2系 High-k 材料向け in-situ チャンバークリーニング技術の開発 大陽日酸技報, No. 26 (2007) pp. 7-11

2006

  • 斧 高一:マイクロプラズマスラスタ -MEMSへの応用例- 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.

2005

  • 斧 高一、福田武司: 宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画, 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
  • 北川智洋斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實: 高誘電体材料ドライエッチングガス, 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.

2004

  • 斧 高一: 高誘電体/電極材料エッチング技術, 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
  • 斧 高一: エッチング, 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958~968.
  • 斧 高一: 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
  • 高橋和生斧 高一節原裕一: 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO2薄膜のエッチング, 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.

2002

2000

  • 斧 高一: エッチング反応機構 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
  • 斧 高一: Siドライエッチング技術, 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.

1999

  • 斧 高一: プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
  • 斧 高一: ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用, 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
  • 斧 高一: エッチング反応機構, 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.