解説・著書

2019

• 江利口浩二: "最新　実用真空技術総覧", (最新　実用真空技術総覧　編集委員会 編, (株)エヌ・ティー・エス, 2019), 第3編 薄膜, 第7章 ドライエッチング.

2018

• 江利口浩二，占部継一郎: "先端CMOS/メモリデバイスにおけるプラズマ加工技術の現状と課題", 応用物理 第87巻 第12号 (2018), p. 895.
• 占部継一郎: "レーザー干渉計を用いたプラズマ電子密度計測の高速・高精度化", Readout(堀場製作所技報) 第51巻 (2018), p. 10.
• 江利口浩二: "真空科学ハンドブック", (日本真空学会 編, 株式会社コロナ社, 2018), 6.2　プラズマプロセス.

2017

• 江利口浩二: "プラズマプロセス技術", (森北出版株式会社, 2017), 第4章 4.4, pp. 128-136.

2015

• 斧 高一: "プラズマ・固体表面界面反応制御～表面ラフネスとリップルの形成機構と制御～", 応用物理,　Vol. 84, No. 10 (2015), pp. 895-902.

2014

• 斧 高一, 中崎暢也, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二：プラズマエッチングにおけるナノスケール表面形状揺らぎ, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 90, No. 7 (2014), pp. 398-404.

2013

• 江利口浩二："先端プロセスとプラズマ誘起ダメージ"（特集「プラズマプロセスの新しい応用」，化学工業社）ケミカルエンジニヤリング，2013，vol.58，No.12，pp. 54-60．
• 斧 高一, 津田 博隆, 中崎 暢也, 鷹尾 祥典, 江利口 浩二: プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構, 表面科学, Vol. 34, No. 10 (2013), pp. 528-534.
• 斧 高一：巻頭言 「年頭所感：プラズマ科学とプラズマ応用」, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 89, No. 1 (2013), pp. 1-2.

2012

• K. Eriguchi:"Molecular Dynamics – Studies of Synthetic and Biological Macromolecules", pp. 221-224, "Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors" (Lichang Wang (Ed.)), ISBN 978-953-51-0444-5, (InTech, 2012).
• 斧 高一：High-k 膜のドライエッチング 「ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術－成膜技術と膜・界面の物性科学－」, (エヌ・ティー・エス社, 2012) 第5編, 第4章, pp. 295-308.

2010

• Koji Eriguchi, Masayuki Kamei, Kenji Okada, Hiroaki Ohta, and Kouichi Ono: Chapter 7 "Threshold Voltage Shift Instability Induced by Plasma Charging Damage in MOSFETs with High-k Dielectric", in Emerging Technologies and Circuits. Edited by A. Amara et al. Lecture Notes in Electrical Engineering 66. (Springer, 2010) Part IV, pp. 97-106. ISBN 978-90-481-9378-3.
• Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Masayuki Kamei, Hiroaki Ohta, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: Chapter 8 "Analysis of Si Substrate Damage Induced by Inductively Coupled Plasma Reactor with Various Superposed Bias Frequencies", in Emerging Technologies and Circuits. Edited by A. Amara et al. Lecture Notes in Electrical Engineering 66 (Springer, 2010) Part IV, pp. 107-120. ISBN 978-90-481-9378-3.
• 畠山力三、節原裕一、大岩徳久、関根誠、豊田浩孝、中石雅文、中村敏浩、中川秀夫、永津雅章、中村圭二、檜森慎司、小田昭紀、林信哉、明石治朗、菅原広剛、吉村智、平田孝道、一木隆範、野崎智洋、佐野紀彰、木下啓蔵、白井肇、古閑一憲、土澤泰、神谷利夫、白藤立、辰巳哲也、米倉和賢、森川康宏、根岸伸幸、高橋和生、秋元健司、江利口浩二、太田貴之、奥村智洋、上坂裕之、佐藤孝紀、布村正太、長谷川明広、柳生義人、白谷正治、金子俊郎、大竹浩人: プラズマ・プロセス技術, 応用物理, Vol. 79, No. 8 (2010) pp. 717-719. http://ci.nii.ac.jp/naid/10026494758/