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京大推進研

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[[画像:Threepillars.png|thumb|350px|Plasma, Outer space, and Semiconductors]]
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[[画像:ICP.jpg|thumb|250px|Inductively-Coupled Plasma (ICP)]]
 
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====大規模スケール分子動力学 (MD) 法====
 
====大規模スケール分子動力学 (MD) 法====
分子動力学(Molecular Dynamics)法を駆使し、Cl<sub>2</sub>/O<sub>2</sub> 混合プラズマによる Si エッチングにおける表面反応を追跡しています。これまでの研究により、エッチング時の微小な表面ラフネス形成の形成メカニズムを明らかにしました。このラフネスは、さらに大きなスケール(ナノ~マイクロオーダー)のラフネス形成を誘発すると考えられ、今後のデバイス開発においては、こうした微小な表面ラフネスの正確な制御が強く要求されます。
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分子動力学(Molecular Dynamics)法を駆使し、Cl<sub>2</sub>/O<sub>2</sub> 混合プラズマによる Si エッチングにおける表面反応を追跡しています。これまでの研究により、エッチング時の微小な表面ラフネス形成の形成メカニズムを明らかにしました。このラフネスは、さらに大きなスケール(ナノ~マイクロオーダー)のラフネス形成を誘発すると考えられ、今後のデバイス開発においては、こうした微小な表面ラフネスの正確な制御が強く要求されます。--!>

2017年2月8日 (水) 14:53時点における版

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