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(国際学会 / International conferences)
(松田 崇行(Takayuki Matsuda))
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=松田 崇行(Takayuki Matsuda)=
 
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2017年から2020年まで鳥取大学のマイクロデバイス工学研究室に所属し,RF-MEMSスイッチの耐久性・信頼性の向上を目的とした研究に従事.2017年から推進工学研究室(現所属)との共同研究にて,窒化ホウ素(BN: Boron Nitride)薄膜形成装置の構築と成膜プロセスの開発に取り組む.現在は所属を移し,多様なBN成膜プロセスの確立を目的とした研究に従事.
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2017年から2020年まで鳥取大学のマイクロデバイス工学研究室に所属し,RF-MEMSスイッチの耐久性・信頼性の向上を目的とした研究に従事.2017年から推進工学研究室(現所属)との共同研究にて,窒化ホウ素(BN: Boron Nitride)薄膜形成装置の構築と成膜プロセスの開発に取り組む.現在は所属を移し,BN成膜プロセスの確立を目的とした研究に従事.
  
 
*博士後期課程2年
 
*博士後期課程2年

2021年11月24日 (水) 12:28時点における版

目次

松田 崇行(Takayuki Matsuda)

2017年から2020年まで鳥取大学のマイクロデバイス工学研究室に所属し,RF-MEMSスイッチの耐久性・信頼性の向上を目的とした研究に従事.2017年から推進工学研究室(現所属)との共同研究にて,窒化ホウ素(BN: Boron Nitride)薄膜形成装置の構築と成膜プロセスの開発に取り組む.現在は所属を移し,BN成膜プロセスの確立を目的とした研究に従事.

経歴

  • 2014年3月 兵庫県立御影高等学校 卒業
  • 2018年3月 鳥取大学 工学部 電気電子工学科 卒業
  • 2020年3月 鳥取大学 大学院 工学研究科 情報エレクトロニクス専攻 修士課程 修了
  • 2020年4月 京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 博士後期課程 進学

国内学会 / Domestic conferences

  1. 松田崇行 (D2),濱野誉,朝本雄也,野間正男,長谷川繁彦,山下満,占部継一郎,江利口浩二:「イオンフラックス制御型反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜構造制御に関する研究」,第82回応用物理学会秋季学術講演会,2021年9月10日~13日,オンライン開催,12p-N102-8.[Oral]

国際学会 / International conferences

  1. Takayuki Matsuda (D2), Takashi Hamano, Yuya Asamoto, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Controlling of nano-network structures in BN films by a reactive plasma assisted-coating technique and the sputtering characteristics against plasma exposure", 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, ONLINE. Proc. 41st International Symposium on Dry Process (DPS), 159-160 (2021)

その他学会発表 / Other conferences

  1. 朝本雄也,松田崇行 (D2),濱野誉,野間正男,長谷川繁彦,山下満,占部継一郎,江利口浩二:「熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御」,第82回応用物理学会秋季学術講演会,2021年9月10日~13日,オンライン開催,12p-N102-9.
  2. 朝本雄也,松田崇行 (D1),濱野誉,野間正男,長谷川繁彦,山下満,占部継一郎,江利口浩二:「反応性プラズマ支援成膜法に用いる熱電子供給型アーク放電の発光分光法による電離機構解析」,SPP-38/SPSM33,2021年1月27日~29日,オンライン開催.