Publications/Books and Reviews

京大推進研

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Book.png解説・著書

目次

2018

  • 江利口浩二: "真空科学ハンドブック", (日本真空学会 編, 株式会社コロナ社, 2018), 6.2 プラズマプロセス.

2017

  • 江利口浩二: "プラズマプロセス技術", (森北出版株式会社, 2017), 第4章 4.4, pp. 128-136.

2015

  • 斧 高一: "プラズマ・固体表面界面反応制御~表面ラフネスとリップルの形成機構と制御~", 応用物理, Vol. 84, No. 10 (2015), pp. 895-902.

2014

  • 斧 高一, 中崎暢也, 津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二:プラズマエッチングにおけるナノスケール表面形状揺らぎ, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 90, No. 7 (2014), pp. 398-404.

2013

  • 江利口浩二:"先端プロセスとプラズマ誘起ダメージ"(特集「プラズマプロセスの新しい応用」,化学工業社)ケミカルエンジニヤリング,2013,vol.58,No.12,pp. 54-60.
  • 斧 高一, 津田 博隆, 中崎 暢也, 鷹尾 祥典, 江利口 浩二: プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構, 表面科学, Vol. 34, No. 10 (2013), pp. 528-534.
  • 斧 高一:巻頭言 「年頭所感:プラズマ科学とプラズマ応用」, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 89, No. 1 (2013), pp. 1-2.

2012

  • K. Eriguchi:"Molecular Dynamics – Studies of Synthetic and Biological Macromolecules", pp. 221-224, "Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors" (Lichang Wang (Ed.)), ISBN 978-953-51-0444-5, (InTech, 2012).
  • 斧 高一:High-k 膜のドライエッチング 「ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術-成膜技術と膜・界面の物性科学-」, (エヌ・ティー・エス社, 2012) 第5編, 第4章, pp. 295-308.

2010

2009

  • 斧 高一プラズマエッチングにおける表面反応機構, 「マイクロ・ナノデバイスのエッチング技術」, 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修 (シーエムシー出版, 2009), 第二編, 第2章, pp. 144-158. ISBN 978-4-7813-0167-9
  • 斧 高一, 江利口浩二高誘電体/電極材料エッチング技術, 「2009 半導体テクノロジー大全」, 月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社、2009), 第4編, 第4章, 第4節, pp. 299-305. http://www.electronicjournal.co.jp/otherbooks/s062.html
  • 斧 高一高橋和生江利口浩二高誘電率 (High-k) 材料のドライエッチング (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第4章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 185-192. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
  • 斧 高一江利口浩二ドライエッチングのモデルとその実験検証 (小特集「ドライエッチングの科学と技術の新局面」, 斧高一監修, 第2章), プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 4 (2009), pp. 165-176. http://www.jspf.or.jp/journal/bn85.html
  • 斧 高一High-k膜のドライエッチング・クリーニング技術, 「ドライ・ウエットエッチング技術全集」, 青木良憲 企画編集 (技術情報協会, 2009), 第4章, 第6節, pp. 329-343.

2007

2006

  • 斧 高一:マイクロプラズマスラスタ -MEMSへの応用例- 「マイクロ・ナノプラズマ技術とその産業応用」, 橘 邦英・寺嶋和夫 監修 (シーエムシー出版, 2006) 第二編, 第7章, pp. 149-164.

2005

  • 斧 高一、福田武司: 宇宙マイクロ・ナノ工学とシリコンナノサテライト連携研究計画, 高温学会誌, 第31巻, 第5号 (2005) pp. 252-259.
  • 北川智洋斧 高一、大沢正典、羽坂 智、井上 實: 高誘電体材料ドライエッチングガス, 大陽日酸技報, No. 24 (2005) pp. 8-15.

2004

  • 斧 高一: 高誘電体/電極材料エッチング技術, 「2004 半導体テクノロジー大全」,月刊 Electronic Journal 別冊 (電子ジャーナル社, 2004) 第4編, 第4章, 第7節, pp. 331-335.
  • 斧 高一: エッチング, 「新改訂・表面科学の基礎と応用」, 日本表面科学会編 (エヌ・ティー・エス社, 2004) 第3編, 第1章, 第3節, 第6項, pp. 958~968.
  • 斧 高一: 半導体プラズマプロセスシミュレーションとTCAD, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 80, No. 11 (2004) pp. 909-918.
  • 高橋和生斧 高一節原裕一: 誘導結合型フルオロカーボンプラズマを用いた高誘電率 HfO2薄膜のエッチング, 表面技術, Vol. 55, No. 12 (2004) pp. 793-799.

2002

2000

  • 斧 高一: エッチング反応機構 「次世代ULSIプロセス技術」, 広瀬全孝編 (リアライズ社, 2000) 第10章, 第10.3節, pp. 436-454.
  • 斧 高一: Siドライエッチング技術, 表面技術, Vol. 51, No.8 (2000) pp. 785-792.

1999

  • 斧 高一: プラズマプロセス装置におけるプラズマ・表面相互作用 プラズマエッチング, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 75, No. 4 (1999) pp. 350-363.
  • 斧 高一: ULSIデバイス作製プロセスにおけるプラズマ 固体表面相互作用, 応用物理, Vol. 68, No. 5 (1999) pp. 513-519.
  • 斧 高一: エッチング反応機構, 「半導体大事典」, 管野卓雄・川西剛監修 (工業調査会, 1999) A3.4.3項, pp. 362-375.