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京大推進研

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目次

濱野 誉（Takashi HAMANO）

お知らせ / Important News

  • 応用物理学会春季学術講演会にて講演予定です．
  • 2023/02/16　博士学位論文公聴会を行いました．
  • 2022/07/08　吉田研究奨励賞を受賞しました．
  • 2022/01/20　主著論文がApplied Physics Letters誌に公開されました．

キーワード / Key words

  • Plasma process，Plasma-induced damage，Reliablity，Optimization，Stochastic process
  • Si，Si dioxide，Boron nitride

研究概要 / Research

  • 単結晶シリコン内に形成されるプラズマ誘起欠陥の電子状態解析
  • プラズマ曝露されたシリコン系絶縁膜に対する信頼性寿命予測モデルの構築
  • 機能性窒化ホウ素薄膜の成膜と物性評価

を主たるテーマとして研究を行っています．

学術論文 / Journal articles

  1. Takayuki Matsuda, Takashi Hamano (D2), Yuya Asamoto, Masao Noma, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Ion irradiation-induced sputtering and surface modification of BN films prepared by a reactive plasma-assisted coating technique”, Jpn. J. Appl. Phys. 61, SI1014 (2022). <doi:10.35848/1347-4065/ac5d16>
  2. Takashi Hamano (D2), Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method”, Appl. Phys. Lett. 120, 031904 (2022). <doi:10.1063/5.0077147>
  3. Takashi Hamano (M2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Investigation of spatial and energy profiles of plasma process-induced latent defects in Si substrate using capacitance-voltage characteristics”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 52, 455102 (2019). <doi: 10.1088/1361-6463/ab3550> 【シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞】
  4. Koji Eriguchi, Takashi Hamano (M2), and Keiichiro Urabe, "Improvement of the plasma‐induced defect generation model in Si substrates and the optimization design framework", Plasma Process. Polym. e1900058 (2019). <doi: 10.1002/ppap.201900058>
  5. Takashi Hamano (M1) and Koji Eriguchi: “Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD02, (2018). <doi:10.7567/JJAP.57.06JD02>

著書・解説 / Books and Reviews

  1. 濱野誉 (D3)，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二:「反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜のナノネットワーク構造制御」, シリコンテクノロジー「半導体プロセス研究・開発における新しい戦略とアプローチ」 No. 242, pp. 23-28, 2023. ISSN: 2423-8813.
  2. 濱野誉 (M1), 占部継一郎, 江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」, シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215, pp. 8-13, 2019. ISSN: 2423-8813.

招待講演 / Invited talks

  1. 濱野誉 (D3)，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二:「反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜のナノネットワーク構造制御」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第242回研究集会，2023年2月17日，東京大学 本郷キャンパス．（発表予定）
  2. 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二:「電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測」，第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日～19日，オンライン開催，17p-Z26-4 （第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演）．
  3. 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二："Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology", 第20回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ，2020年11月27日，オンライン開催．
  4. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第215回研究集会 「ドライエッチング技術のChallenge」，2019年2月8日，東京大学 本郷キャンパス，（シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215, pp. 8-13, 2019）.

受賞 / Award

  1. 吉田研究奨励賞，2022年7月8日．
  2. DPS2019 Young Researcher Award，2021年11月18日．
  3. 応用物理学会関西支部 関西奨励賞，2021年3月22日．
  4. 第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞，2021年3月17日．
  5. 応用物理学会関西支部 2020年度第1回+第2回合同講演会 ポスター賞（最優秀賞），2021年1月27日．
  6. IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award, 2020年11月27日．
  7. 馬詰研究奨励賞，2020年10月16日．

国際学会 / International conferences

  1. Takashi Hamano (D3), Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Characterization of nano-network structure transition of boron nitride films by ion irradiation during the film growth", 43rd International Symposium on Dry Process: DPS2022, November 24-25, 2022, Osaka International Convention Center & Online. [Oral]
  2. Takashi Hamano (D2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "A comprehensive analysis of defect state generation by ion bombardment at bottoms and sidewalls of deep holes in Si substrates", 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, ONLINE. Proc. 42nd International Symposium on Dry Process (DPS), 33-34 (2021). [Oral]
  3. Takashi Hamano (D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "A Framework for Sensitive Assessment of Plasma Process-Induced Damage in Si Substrates", 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials: SSDM2020, September 27-30, 2020, ALL-VIRTUAL. Proc. 52nd International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 705-706 (2020). [Oral]
  4. Takashi Hamano (D1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Model analysis for effects of spatial and energy profiles of plasma process-induced defects in Si substrate on MOS device performance", International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, September 23-October 6, 2020, ALL-VIRTUAL. [Oral]
  5. Takashi Hamano (M2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Reconsideration of the effects of ion energy distribution function on plasma process-induced damage formation and its optimal control methodology", 41st International Symposium on Dry Process: DPS2019, November 21-22, 2019, JMS Aster Plaza, Hiroshima in Japan. Proc. 41st International Symposium on Dry Process (DPS), 29-30 (2019). [Oral]
  6. Takashi Hamano (M2), Toru Sumihira, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Comprehensive Reconsideration of Material Property Modification by Processing Plasma Exposure and Its Optimal Control Strategy", 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference: MNC2019, October 28-31, 2019, International Conference Center Hiroshima, Hiroshima, Japan. (2019). [Oral]
  7. Takashi Hamano (M2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology", 51st International Conference on Solid State Devices and Materials: SSDM2019, September 2-5, 2019, Nagoya University, Aichi, Japan. Proc. 51st International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 611-612 (2019). [Oral]
  8. Takashi Hamano (M1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Comparative characterization of gas species dependence of transient behaviors in plasma-induced Si damage", 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan. Proc. 40th International Symposium on Dry Process (DPS), 301-302 (2018). [Oral]
  9. Takashi Hamano (B4) and Koji Eriguchi: "A comprehensive analysis of progressive behavior of plasma-induced damage formation in Si substrates", 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front (Kuramae Kaikan), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan. Proc. 39th International Symposium on Dry Process (DPS), 215-216 (2017). [Oral]

国内学会 / Domestic conferences

  1. 濱野誉 (D3)，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「ナノネットワーク構造解析に基づく微細トレンチ内の窒化ホウ素膜特性予測」，第70回応用物理学会春季学術講演会，2023年3月15日～18日，ハイブリッド開催，17a-A205-8．[Oral]（発表予定）
  2. 濱野誉 (D2)，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「sp結合ナノネットワーク構造変化に起因する窒化ホウ素膜特性遷移の解析」，第69回応用物理学会春季学術講演会，2022年3月22日～26日，ハイブリッド開催，25p-E104-9．[Oral]
  3. 濱野誉 (D2)，占部継一郎，江利口浩二:「顕微フォトリフレクタンス分光法を用いたシリコン深掘り孔内部の欠陥準位解析」，[先端ナノミクス若手研究者交流会]，2022年3月17日，オンライン開催．[Poster]
  4. 濱野誉 (D2)，占部継一郎，江利口浩二:「顕微フォトリフレクタンス分光法を用いたSi深掘り孔側壁に形成されるプラズマ誘起欠陥層の電子状態解析」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催， 10p-N302-14．[Oral]
  5. [招待講演] 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二:「電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測」，第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日～19日，オンライン開催，17p-Z26-4（第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演）．[Oral]
  6. 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二:「顕微フォトリフレクタンス分光法によるシリコン深掘り孔底面および側壁のプラズマ誘起欠陥層解析」，第68回応用物理学会春季学術講演会，2021年3月16日～19日，オンライン開催，17a-Z03-2．[Oral]
  7. 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡電流解析を用いたシリコン系絶縁膜中のプラズマ誘起欠陥準位解析」，応用物理学会関西支部 2020年度第1回+第2回合同講演会，2021年1月27日，オンライン開催，P-19．[Poster]
  8. 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡電流解析によるシリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥準位評価」，第81回応用物理学会秋季学術講演会，2020年9月8日～11日，オンライン開催，11p-Z03-5．[Oral]
  9. 濱野誉 (M2)，占部継一郎，江利口浩二:「プラズマ誘起欠陥分布を考慮したパーコレーション理論に基づくシリコン酸化膜の長期信頼性予測手法の提案」，第67回応用物理学会春季学術講演会，2020年3月12日～15日，上智大学四谷キャンパス，12p-A205-13．[Oral]
  10. 濱野誉 (M2)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板内部に形成されるプラズマ誘起欠陥準位分布の電気的解析手法の提案 ～Complementary C—V法～」，応用物理学会関西支部 2019度第3回講演会，2020年2月21日，産業技術総合研究所　関西センター，P-03．[Poster]
  11. 濱野誉 (M2)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板中に形成されるガス種に依存したプラズマ誘起ダメージ層極性の同定」，第80回応用物理学会秋季学術講演会，2019年9月18日～21日，北海道大学札幌キャンパス，18a-C309-8．[Oral]
  12. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板内部に形成されるプラズマ誘起ダメージの電気的欠陥プロファイル解析手法の最適化」，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日～12日，東京工業大学大岡山キャンパス，11p-W641-1．[Oral]
  13. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板に形成されるプラズマエッチング誘起欠陥のギャップ内準位分布の予測手法と実験への適用」，応用物理学会関西支部 平成30年度第3回講演会，2019年2月15日，大阪大学中之島センター，P-12．[Poster]
  14. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「等温過渡容量法（ICTS）を用いたSi基板内部のプラズマ誘起潜在欠陥解析手法の提案」, 第79回応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月18日～21日，名古屋国際会議場，20p-438-14．[Oral]
  15. 濱野誉 (B4)，中久保義則，江利口浩二:「プラズマ誘起欠陥を含むSi基板のC-V特性予測シミュレーション」，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月17日～20日，早稲田大学西早稲田キャンパス，19p-C204-14．[Oral]
  16. 濱野誉 (B4)，江利口浩二:「プラズマ誘起ダメージの非平衡特性を考慮に入れたプラズマプロセス設計」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-22．[Poster]

セミナー，研究会 / Seminars, Workshops

  1. [招待講演] 濱野誉 (D3)，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二:「反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜のナノネットワーク構造制御」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第242回研究集会，2023年2月17日，東京大学 本郷キャンパス．
  2. [招待講演] 濱野誉 (D1)，占部継一郎，江利口浩二："Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology", 第20回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ，2020年11月27日，オンライン開催．[Oral]
  3. [招待講演] 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第215回研究集会 「ドライエッチング技術のChallenge」，2019年2月8日，東京大学 本郷キャンパス，（シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215，pp. 8-13，2019）．[Oral]

その他学会発表 / Other conferences

  1. 朝本雄也，濱野誉 (D3)，松田崇行，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「結合状態を制御した窒化ホウ素膜の高速堆積に向けた窒素ラジカルフラックス最大化に関する研究」，第83回応用物理学会秋季学術講演会，2022年9月20日～23日，ハイブリッド開催，23a-B101-4．
  2. 松田崇行，濱野誉 (D2)，朝本雄也，野間正男，山下満，長谷川繁彦，占部継一郎，江利口浩二：「電気伝導機構解析による窒化ホウ素膜/Si構造の剥離機構の検討」，第69回応用物理学会春季学術講演会，2022年3月22日～26日，ハイブリッド開催，25p-E104-10．
  3. 朝本雄也，松田崇行，濱野誉 (D2)，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御（II）」，第69回応用物理学会春季学術講演会，2022年3月22日～26日，ハイブリッド開催，22p-E105-16．
  4. Takayuki Matsuda, Takashi Hamano (D2), Yuya Asamoto, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Controlling of nano-network structures in BN films by a reactive plasma assisted-coating technique and the sputtering characteristics against plasma exposure", 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, ONLINE. Proc. 41st International Symposium on Dry Process (DPS), 159-160 (2021).
  5. Yuya Asamoto, Takayuki Matsuda, Takashi Hamano (D2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Characterization of carrier conduction in a magnetically-confined vacuum arc discharge and its application to control of incident-ion flux to a substrate", 42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021, November 18-19, 2021, ONLINE. Proc. 41st International Symposium on Dry Process (DPS), 83-84 (2021).
  6. [Invited] K. Urabe, T. Matsuda, T. Hamano (D2), Y. Asamoto, M. Noma, M. Yamashita, S. Hasegawa, and K. Eriguchi: "Characterization and control of boron nitride film deposition by a reactive plasma-assisted coating," 5th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics (AAPPS-DPP2021), A-I3 (2021/9/28, On-line).
  7. 朝本雄也，松田崇行，濱野誉 (D2)，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，12p-N102-9．
  8. 松田崇行，濱野誉 (D2)，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「イオンフラックス制御型反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜構造制御に関する研究」，第82回応用物理学会秋季学術講演会，2021年9月10日～13日，オンライン開催，12p-N102-8．
  9. 朝本雄也，松田崇行，濱野誉 (D1)，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二：「反応性プラズマ支援成膜法に用いる熱電子供給型アーク放電の発光分光法による電離機構解析」，SPP-38/SPSM33，2021年1月27日～29日，オンライン開催．

学位論文 / Thesis

学部卒業研究　(2017年度，2018年3月)

「プラズマ曝露下におけるシリコン基板表面構造の入射イオン量依存性に関する研究」

修士論文　(2019年度，2020年3月)

"Characterization of Gas-Species-Dependent Defect Generation in Si-Based Materials by Plasma Irradiation"
（プラズマ照射下におけるSi系材料中のガス種に依存した欠陥形成機構の解析）

学歴 / Education

  • 2014年3月　甲陽学院高等学校 卒業
  • 2018年3月　京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース 卒業
  • 2020年3月　京都大学大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程 卒業
  • 2020年4月　京都大学大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 博士後期課程 入学

資格 / Certificate

  • 普通自動車免許　2014年9月
  • 実用数学技能検定1級　2016年11月
  • 日商簿記3級　2019年6月

(最終編集日: 2023/02)

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