2019年9月15日 (日) 13:49時点における版

濱野 誉（Takashi HAMANO）

• 修士2年
• 博士課程前後期連携教育プログラム
• メール：hamano.takashi.35cst.kyoto-u.ac.jp
• 所属学会：応用物理学会 (JSAP)
  　　　　　シリコンテクノロジー分科会 (応用物理学会)
  　　　　　プラズマエレクトロニクス分科会 (応用物理学会)
• ORCID: 0000-0002-5941-510X
• 研究室内役職：学会, HP, OA

お知らせ / Important News

• 今後は応物，MNC，DPSにて学会発表をいたします．
• 2019/08/19　主著論文がJournal of Physics D: Applied Physics誌に掲載されました．
• 2019/06/21　共著論文がPlasma Processes and Polymers誌に掲載されました．
• 2019/02/08　シリコンテクノロジー分科会研究集会にて招待講演を行いました．

キーワード / Key words

• Plasma process，Plasma-induced damage，Reliablity，Optimization，Stochastic process
• Si，Si dioxide，Boron nitride film

研究概要 / Research

• シリコン単結晶基板内部に生じるプラズマ誘起ダメージの進展メカニズムの解析
• プラズマ曝露を受けたシリコン酸化膜の絶縁破壊過程の確率モデル構築
• 窒化ホウ素薄膜の成膜技術の確立

を主たるテーマとして研究を行っています．

学歴 / Education

• 2014年3月　甲陽学院高等学校 卒業
• 2014年4月　京都大学 工学部 物理工学科 入学
• 2018年3月　京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース 卒業
• 2018年4月　京都大学大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻 修士課程 入学

学術論文 / Journal articles

1. Takashi Hamano (M2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Investigation of spatial and energy profiles of plasma process-induced latent defects in Si substrate using capacitance-voltage characteristics”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 52, 455102 (2019). <doi: 10.1088/1361-6463/ab3550>
2. Koji Eriguchi, Takashi Hamano (M2), and Keiichiro Urabe, "Improvement of the plasma‐induced defect generation model in Si substrates and the optimization design framework", Plasma Process. Polym. e1900058 (2019). <doi: 10.1002/ppap.201900058>
3. Takashi Hamano (M1) and Koji Eriguchi: “Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD02, (2018).
   <doi:10.7567/JJAP.57.06JD02>

著書・解説 / Books and Reviews

1. 濱野誉 (M1), 占部継一郎, 江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」, シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215, pp. 8-13, 2019. ISSN: 2423-8813.

招待講演 / Invited talks

1. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第215回研究集会 「ドライエッチング技術のChallenge」，2019年2月8日，東京大学 本郷キャンパス，（シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215, pp. 8-13, 2019）.

国際学会 / International conferences

1. Takashi Hamano (M2), Toru Sumihira, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Comprehensive Reconsideration of Material Property Modification by Processing Plasma Exposure and Its Optimal Control Strategy", 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference: MNC2019, Octorber 28-31, 2019, International Conference Center Hiroshima, Hiroshima, Japan. (2019). [Oral] [to be presented]
2. Takashi Hamano (M2), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology", 51st International Conference on Solid State Devices and Materials: SSDM2019, September 2-5, 2019, Nagoya University, Aichi, Japan. Proc. 51stth International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 611-612 (2019). [Oral]
3. Takashi Hamano (M1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Comparative characterization of gas species dependence of transient behaviors in plasma-induced Si damage", 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan. Proc. 40th International Symposium on Dry Process (DPS), 301-302 (2018). [Oral]
4. Takashi Hamano (B4) and Koji Eriguchi: "A comprehensive analysis of progressive behavior of plasma-induced damage formation in Si substrates", 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front (Kuramae Kaikan), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan. Proc. 39th International Symposium on Dry Process (DPS), 215-216 (2017). [Oral]

国内学会 / Domestic conferences

1. 濱野誉 (M2)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板中に形成されるガス種に依存したプラズマ誘起ダメージ層極性の同定」，第80回応用物理学会秋季学術講演会，2019年9月18日～21日，北海道大学札幌キャンパス，18a-C309-8．[Oral] [to be presented]
2. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板内部に形成されるプラズマ誘起ダメージの電気的欠陥プロファイル解析手法の最適化」，第66回応用物理学会春季学術講演会，2019年3月9日～12日，東京工業大学大岡山キャンパス，11p-W641-1．[Oral]
3. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「Si基板に形成されるプラズマエッチング誘起欠陥のギャップ内準位分布の予測手法と実験への適用」，応用物理学会関西支部 平成30年度第3回講演会，2019年2月15日，大阪大学中之島センター，P-12．[Poster]
4. 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「等温過渡容量法（ICTS）を用いたSi基板内部のプラズマ誘起潜在欠陥解析手法の提案」, 第79回応用物理学会秋季学術講演会，2018年9月18日～21日，名古屋国際会議場，20p-438-14．[Oral]
5. 濱野誉 (B4)，中久保義則，江利口浩二:「プラズマ誘起欠陥を含むSi基板のC-V特性予測シミュレーション」，第65回応用物理学会春季学術講演会，2018年3月17日～20日，早稲田大学西早稲田キャンパス，19p-C204-14．[Oral]
6. 濱野誉 (B4)，江利口浩二:「プラズマ誘起ダメージの非平衡特性を考慮に入れたプラズマプロセス設計」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-22．[Poster]

セミナー，研究会 / Seminars, Workshops

1. [招待講演] 濱野誉 (M1)，占部継一郎，江利口浩二:「過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討」，応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第215回研究集会 「ドライエッチング技術のChallenge」，2019年2月8日，東京大学 本郷キャンパス，（シリコンテクノロジー「ドライエッチング技術のChallenge」 No. 215，pp. 8-13，2019）．[Oral]

学位論文 / Thesis

学部卒業研究　(2017年度，2018年3月)

「プラズマ曝露下におけるシリコン基板表面構造の入射イオン量依存性に関する研究」

資格 / Certificate

• 普通自動車免許　2014年9月
• 実用数学技能検定1級　2016年11月
• 日商簿記3級　2019年6月

(最終編集日: 2019/09/05)