Member:Hamano
京大推進研
濱野 誉 (Takashi Hamano)
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- 修士1年
- 博士課程前後期連携教育プログラム
- メール：hamano.takashi.35c(at)st.kyoto-u.ac.jp
- 所属学会：応用物理学会 (JSAP)
- 研究室内役職：学会, HP, OA
キーワード / Key word
- Plasma-induced damage, Plasma etching, Reliablity, Stochastic process, Boron nitride film
研究概要 / Research
- シリコン単結晶基板内部に生じるプラズマ誘起ダメージの進展メカニズムの解析
- プラズマ曝露を受けたシリコン酸化膜の絶縁破壊過程の確率モデル構築
- 窒化ホウ素薄膜の成膜技術の確立
を主たるテーマとして研究を行っています。
学歴 / Education
- 2014年3月 甲陽学院高等学校 卒業
- 2014年4月 京都大学 工学部 物理工学科 入学
- 2018年3月 京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース 卒業
- 2018年4月 京都大学 工学研究科 航空宇宙工学専攻 入学
投稿論文 / Journal articles
- Takashi Hamano (M1) and Koji Eriguchi: “Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD02, (2018).
<doi:10.7567/JJAP.57.06JD02>
国際学会 / International conference
- Takashi Hamano (M1), Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Comparative characterization of gas species dependence of transient behaviors in plasma-induced Si damage", 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan. Proc. 40th International Symposium on Dry Process (DPS), 301-302 (2018). [Oral]
- Takashi Hamano (B4) and Koji Eriguchi: "A comprehensive analysis of progressive behavior of plasma-induced damage formation in Si substrates", 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front (Kuramae Kaikan), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan. Proc. 39th International Symposium on Dry Process (DPS), 215-216 (2017). [Oral]
国内学会 / Domestic conference
- 濱野誉 (M1), 占部継一郎, 江利口浩二:「等温過渡容量法（ICTS）を用いたSi基板内部のプラズマ誘起潜在欠陥解析手法の提案」, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日～21日, 名古屋国際会議場, 20p-438-14. [Oral]
- 濱野誉 (B4), 中久保義則, 江利口浩二:「プラズマ誘起欠陥を含むSi基板のC-V特性予測シミュレーション」, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年3月17日～20日, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 19p-C204-14. [Oral]
- 濱野誉 (B4), 江利口浩二: 「プラズマ誘起ダメージの非平衡特性を考慮に入れたプラズマプロセス設計」, 応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会, 2018年2月23日, 大阪大学中之島センター, P-22. [Poster]
学位論文題目 / Thesis
学部卒業研究 (2017年度, 2018年3月)
- 「プラズマ曝露下におけるシリコン基板表面構造の入射イオン量依存性に関する研究」
