Member:Ishii

京大推進研

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*単結晶Si基板上へのイオン照射効果を用いたイオンプルーム
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*単結晶Si基板上へのイオン照射効果を用いたイオンプルーム解析
 
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2023年12月22日 (金) 15:59時点における版

目次

石井嶺(Ishii Ryo)

  • 修士1年
  • 研究室内役職 : 会計 宴会 係


研究概要 / Study

  • 単結晶Si基板上へのイオン照射効果を用いたイオンプルーム解析

学歴 / Education

  • 2019年4月 京都大学 工学部 物理工学科 入学
  • 2023年3月 京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース 卒業
  • 2023年4月 京都大学 工学研究科 航空宇宙工学専攻 入学

国内学会 / Domestic conference

  1. 石井嶺(M1),曽束元喜,占部継一郎,江利口浩二「単結晶Si基板上へのイオン照射効果を用いたイオンプルームの空間的構造解析」,第67回 宇宙科学技術連合講演会,2023年10月17日~10月20日,富山国際会議場・ANAクラウンホテル富山,4H02.