Publications/Awards
京大推進研
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*Yoshihiro Sato, Satoshi Shibata, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi | *Yoshihiro Sato, Satoshi Shibata, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi | ||
*"Evaluation of residual defects created by plasma exposure of Si substrates using vertical and lateral pn junctions", J. Vac. Sci. Technol. B 38, 012205 (2020). | *"Evaluation of residual defects created by plasma exposure of Si substrates using vertical and lateral pn junctions", J. Vac. Sci. Technol. B 38, 012205 (2020). | ||
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===応用物理学会関西支部 関西奨励賞=== | ===応用物理学会関西支部 関西奨励賞=== | ||
2021年11月9日 (火) 17:29時点における版
表彰
2021
DPS 2019 Young Researcher Award
DPS 2019 Young Researcher Award
IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award
- 2021年9月28日
- Yoshihiro Sato, T. Yamada, K. Nishimura, M. Yamasaki, M. Murakami, K. Urabe, and K. Eriguchi: "Characterization Scheme for Plasma-Induced Defect due to Stochastic Lateral Straggling in Si Substrates for Ultra-Low Leakage Devices," IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 12-18, On-line.
第50回（2021年春季）応用物理学会講演奨励賞
- 久山智弘
- 応用物理学会 （受賞者紹介）
- 2021年9月21日
- 久山智弘，占部継一郎，江利口浩二:「絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析」2021年春季 第68回 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月16日～19日, オンライン開催, 17a-Z03-1.
講演奨励賞受賞記念講演
- 久山智弘，占部継一郎，江利口浩二:「プラズマ曝露により絶縁膜/Si界面近傍に形成される欠陥構造のアドミタンスモデル解析」, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月10日～13日, オンライン開催, 12a-N102-5.
第19回プラズマエレクトロニクス賞
- 佐藤好弘，柴田聡，占部継一郎，江利口浩二
対象論文
- Yoshihiro Sato, Satoshi Shibata, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi
- "Evaluation of residual defects created by plasma exposure of Si substrates using vertical and lateral pn junctions", J. Vac. Sci. Technol. B 38, 012205 (2020).
- 2021年3月10日
応用物理学会関西支部 関西奨励賞
- 応用物理学会関西支部
- 2021年3月22日
- 「応用物理学の発展・推進を目指した学術面での活発な活動」
シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞
- 2021年3月17日
対象論文
- Takashi Hamano, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi
- "Investigation of spatial and energy profiles of plasma process-induced latent defects in Si substrate using capacitance-voltage characteristics”, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 52, 455102 (2019).
応用物理学会関西支部 2020年度第1回+第2回合同講演会 ポスター賞（最優秀賞）
- 2021年1月27日
- 濱野誉，占部継一郎，江利口浩二:「過渡電流解析を用いたシリコン系絶縁膜中のプラズマ誘起欠陥準位解析」，応用物理学会関西支部 2020年度第1回+第2回合同講演会，2021年1月27日，オンライン開催，P-19．
2020
IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award
- 2020年11月27日
- Takashi Hamano, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: "Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology", 51st International Conference on Solid State Devices and Materials: SSDM2019, September 2-5, 2019, Nagoya University, Aichi, Japan.
馬詰研究奨励賞
- 2020年10月16日
奨励賞
2019
第１回先端流体理工学研究部門公開セミナー 最優秀学生賞
- 中村浩大
- 第１回先端流体理工学研究部門公開セミナー
- 2019年3月5日
- 中村浩大, 占部継一郎, 江利口浩二「プラズマ曝露により生じる金属表面の電気特性及び化学組成変化の解析」, 2019年3月5日, 京都大学桂キャンパス
2018
DPS 2017 Young Researcher Award
- 吉川侑汰
- 40th International Symposium on Dry Process (DPS2018)
- 2018年11月15日
- Yuta Yoshikawa and K. Eriguchi: “Prediction of electronic structure change induced by plasma processing: A first-principles study”, DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.
堀場雅夫賞
- 占部継一郎
- 堀場雅夫賞
- 2018年7月31日
- 「レーザー干渉計によるプラズマ電子密度計測の高速・高精度化」
第44回(2018年春季)応用物理学会講演奨励賞
- 吉川侑汰
- 応用物理学会講演奨励賞受賞者
- 2018年3月19日
- 吉川侑汰(M1)，江利口浩二:「プラズマ誘起ダメージを受けた局所構造の第一原理計算による解析」2018年春季 第65回 応用物理学会学術講演会, 2018年3月17日～20日, 早稲田大学, 19p-C204-15.
受賞記念講演
- 講演奨励賞受賞記念講演：吉川侑汰，江利口浩二:「プラズマ誘起ダメージを受けた局所構造の第一原理計算による解析 (2)」, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日～21日, 名古屋国際会議場, 20p-438-12.
応用物理学会関西支部 第6回関西奨励賞
- 久山智弘
- 応用物理学会関西支部
- 2018年3月7日
- 「応用物理学の発展・推進を目指した学術面での活発な活動」
応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会 ポスター賞（最優秀賞）
- 久山智弘
- 応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会
- 2018年2月23日
- 久山智弘(M1)，江利口浩二「光学的および電気的手法を用いたシリコン窒化膜中のプラズマ誘起欠陥の構造解析手法」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-23．
応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会 ポスター賞（優秀賞）
- 吉川侑汰
- 応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会
- 2018年2月23日
- 吉川侑汰(M1)，江利口浩二「プラズマ曝露を受けたSi基板及びSiN膜の電子状態解析」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-24．
2017
第54回日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋季大会 関西支部学生賞
- 樋口智哉
- 第54回 日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋期大会
- 2017年11月11日
- 樋口智哉, 野間正男, 山下満, 長谷川繁彦, 江利口 浩二
- 「プラズマ曝露による窒化ホウ素膜機械特性変化のナノインデンテーション法による解析」, 第54回日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋季大会, 2017年11月11日, 京都大学桂キャンパス
2016
2016 Dry Process Symposium, Young Researcher Award
- 中崎暢也
- Nov. 21th, 2016
- "Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon"
- Nobuya Nakazaki (D3), Haruka Matumoto, Soma Sonobe, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon", 37th International Symposium on Dry Process (DPS 2015), November 5-6, 2015, Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji Island, Japan, B-3, Proc. 37th Int. Symp. Dry Process, p. 13.
2015
2015 Dry Process Symposium, Paper Award
- K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, and K. Ono
- Nov. 5th, 2015
- "Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors"
- Jpn. J. Appl. Phys. 53, 03DE02 (2014).
第37回（2015年度）応用物理学会論文奨励賞
- 中崎暢也
- 応用物理学会 （受賞者紹介）
- 2015年9月13日
- Nobuya Nakazaki, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas", Jpn. J. Appl. Phys. 53, 056201 (2014).
受賞記念講演
- 論文奨励賞受賞記念講演：中崎暢也, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas」, 第76回 応用物理学会秋季学術講演会, 2015年9月13日～16日, 名古屋国際会議場, 15a-2Q-7.
2014
応用物理学会第12回 (2013年度) APEX/JJAP編集貢献賞
- 斧 高一
- 応用物理学会
- 2014年4月9日
- 「英文論文誌 Applied Physics Express (APEX)/Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) の編集 (閲読および出版) に対する多大な貢献」
応用物理学会関西支部 第2回関西奨励賞
- 中崎暢也
- 応用物理学会関西支部
- 2014年2月28日
- 「応用物理学会の発展・推進を目指した学術面での活発な活動」
2013
第50回日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋季大会 関西支部学生賞
- 山田郁美
- 第50回 日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋期大会
- 2013年10月25日
- 山田郁美, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一: 「超小型高周波イオンスラスタを対象としたイオン源のプローブ測定」, 第50回日本航空宇宙学会 関西・中部支部合同秋季大会, 2013年10月25日, 大阪大学吹田キャンパス
応用物理学会第7回 （2013年度） フェロー表彰
- 斧 高一
- 応用物理学会
- 2013年9月16日
- 「プラズマ微細加工におけるプラズマ・表面相互作用の先駆的研究」
応用物理学会関西支部 平成25年度第1回講演会 ポスター賞（最優秀賞）
- 中崎暢也
- 応用物理学会関西支部 平成25年度第1回講演会
- 2013年6月13日
- 中崎暢也(D), 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「プラズマエッチングにおけるナノスケール表面ラフネスとリップル構造」, 応用物理学会関西支部 平成25年度第1回講演会, 2013年6月13日, 京都大学桂キャンパス, P-14.
日本航空宇宙学会第1回 (2013年度) フェロー認定
- 斧 高一
- 日本航空宇宙学会
- 2013年4月19日
- 「航空宇宙工学と社会および、日本航空宇宙学会の発展への顕著な貢献」
第33回（2012年秋季）応用物理学会講演奨励賞
- 中崎暢也
- 応用物理学会 （受賞者紹介）
- 2013年3月27日
- 中崎暢也，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一:「分子動力学法によるSi/Cl，Si/Brビームエッチング表面反応解析：イオン入射エネルギー・角度と中性ラジカルフラックス比依存性」2012年秋季 第59回 応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日～14日, 松山大学・愛媛大学, 13a-E3-11.27
受賞記念講演
- 講演奨励賞受賞記念講演：中崎暢也，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一:「分子動力学法を用いたHBrプラズマによるSiエッチング表面反応解析」, 2013年春季 第60回 応用物理学会学術講演会, 2013年3月27日～30日, 神奈川工科大学, 27p-A3-9
2012
DPS 2011 Young Researcher Award
- 津田博隆
- 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)
- 2012年11月15日
- Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence", DPS 2011, November 10-11, 2011, Kyoto Garden Palace Hotel, Kyoto, Japan.
第32回（2012年春季）応用物理学会講演奨励賞
- 津田博隆
- 応用物理学会 （受賞者紹介）
- 2012年9月11日
- 津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一:「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性」2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年3月15日～18日, 早稲田大学, 17p-A7-18.
受賞記念講演
- 講演奨励賞受賞記念講演：津田博隆, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一:「3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性 II. -イオン斜め入射時のリップル形成メカニズム-」, 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会, 2012年9月11日～14日, 愛媛大学 城北キャンパス, 13a-E3-7.
2011
DPS 2010 Young Researcher Award
- 松田朝彦
- 32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010)
- 2011年11月10日
- Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy", DPS 2010, November 11-12, 2010, Tokyo Institute of Technology, Japan.
第33回（2011年度）応用物理学会優秀論文賞
- 江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧 高一
- 応用物理学会 （受賞者紹介）
- 2011年8月30日
- Koji Eriguchi, Yoshinori Nakakubo, Asahiko Matsuda, Yoshinori Takao, and Kouichi Ono: "Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056203.
第9回（2011年度）プラズマエレクトロニクス賞
- 仲村恵右、濱田大輔、上田義法、江利口浩二、斧高一
- 「高誘電率絶縁膜 (High-k 膜) のエッチングに関して (...) 無バイアス条件で高いエッチング速度、選択性、加工精度を実現できることを初めて実証し、その機構を明らかにした。(...) 学術的価値および産業的有用性において、類似の研究の追随を許さない仕事であり、極めて高く評価できる。」
- （「第９回プラズマエレクトロニクス賞の報告」プラズマエレクトロニクス分科会会報No.54 p.10）
- 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
- 2011年3月25日
- Keisuke Nakamura, Daisuke Hamada, Yoshinori Ueda, Koji Eriguchi, and Kouichi Ono: "Selective Etching of High-k Dielectric HfO2 Films over Si in BCl3-Containing Plasmas without rf Biasing", Appl. Phys. Express 2 (2009) 016503.
受賞記念講演等
- 仲村恵右「プラズマエレクトロニクス賞を受賞して」プラズマエレクトロニクス分科会会報No.54 p.11
- プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演：斧高一「高誘電率（High-k）材料のドライエッチング」2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月30日
2010
DPS 2009 Best Paper Award
- 江利口浩二、中久保義則、松田朝彦、亀井政幸、鷹尾祥典、斧高一
- 「プラズマと固体表面相互作用によって発生する半導体デバイスの特性劣化機構を解明した業績に対して」
- 31st International Symposium on Dry Process (DPS 2009)
- 2010年11月11日
- K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono: "Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs", DPS 2009, September 24-25, 2009, Busan, Korea.
2008
第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール 最優秀ポスター賞
- 津田博隆
- 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
- 2008年9月26日
- 津田博隆、森政士、太田裕朗、江利口浩二、斧高一:「原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状シミュレーション: 微細パターン内での表面酸化と粒子挙動の解析」第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 2008年9月24日～26日, 奥琵琶湖マキノパークホテル＆セミナーハウス.
第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール 優秀質問者賞
- 津田博隆
- 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
- 2008年9月26日
- 第2回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 2008年9月24日～26日, 奥琵琶湖マキノパークホテル＆セミナーハウス.