久山 智弘 (Tomohiro Kuyama)

2015年度NFにて

• 修士2年 (博士課程進学予定）
• 所属学会：応用物理学会 (The Japan Society of Applied Physics: JSAP)
• メール：kuyama.tomohiro.23x(at)st.kyoto-u.ac.jp

研究概要

• 絶縁膜のプラズマ誘起欠陥形成に関する研究
• プラズマ加工中，Si基板中に形成される潜在欠陥の評価手法の開発

学歴

• 2013年3月　岡山県立岡山朝日高等学校　卒業
• 2013年4月　京都大学 工学部 物理工学科　入学
• 2017年3月　京都大学 工学部 物理工学科 宇宙基礎工学コース　卒業
• 2017年4月　京都大学 大学院 工学研究科 航空宇宙工学専攻　入学

趣味

• 野球観戦（千葉ロッテマリーンズファン）
• スパイスカレー作り
• 京大カレー部員として不定期に活動中

投稿論文 / Journal article

1. Tomohiro Kuyama(M1) and Koji Eriguchi, "Optical and electrical characterization methods of plasma-induced damage in silicon nitride films", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 6S2, 06JD03, (2018), <doi:10.7567/JJAP.57.06JD03>

受賞 / Award

1. 応用物理学会 関西支部 平成29年度 第3回講演会ポスター賞（最優秀賞）, 2018年2月23日.
2. 応用物理学会 関西支部 第6回関西奨励賞, 2018年3月7日. http://jsap-kansai.jp/index.php?wakateaward

国際学会 / International conference

1. Tomohiro Kuyama(M1) and Koji Eriguchi: “Characterization tequnique of silicon nitride film damaged by plasma exposure”, 39th International Symposium on Dry Process: DPS2017, November 16-17, 2017, Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan.
2. Tomohiro Kuyama(M2), Yoshihiro Sato, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi: “Effects of Microwave Annealing on the Recovery of Microscopic Defects in Silicon Nitride Films”, 40th International Symposium on Dry Process: DPS2018, November 13-15, 2018, Toyoda Auditorium, Nagoya University, Aichi, Japan.

国内学会 / Domestic conference

1. 久山智弘(M1)，吉川侑汰，篠原健吾，江利口浩二「高エネルギーイオン照射による窒化シリコン薄膜中の欠陥形成とその診断に関する研究」，日本航空宇宙学会 第54回関西・中部支部合同秋期大会，2017年11月11日，京都大学桂キャンパス．
2. 久山智弘(M1)，江利口浩二「光学的および電気的手法を用いたシリコン窒化膜中のプラズマ誘起欠陥の構造解析手法」，応用物理学会関西支部 平成29年度第3回講演会，2018年2月23日，大阪大学中之島センター，P-23．
3. 久山智弘(M2)，吉川侑汰，佐藤好弘, 占部継一郎, 江利口浩二:「プラズマ曝露によりシリコン窒化膜中に形成された欠陥構造の窒素雰囲気アニールに関する検討」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 20p-438-13.

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